恭喜桑迪士克科技股份有限公司杨旭一获国家专利权
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龙图腾网恭喜桑迪士克科技股份有限公司申请的专利包括分叉存储器模块的高容量半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112151527B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910575708.2，技术领域涉及：H10B80/00；该发明授权包括分叉存储器模块的高容量半导体器件是由杨旭一;马世能;张聪;邱进添设计研发完成，并于2019-06-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本包括分叉存储器模块的高容量半导体器件在说明书摘要公布了：本发明题为“包括分叉存储器模块的高容量半导体器件”。本发明公开了一种半导体器件，所述半导体器件包括堆叠的集成存储器模块的晶圆。本发明技术的半导体器件可包括多个存储器阵列半导体晶圆和CMOS控制器晶圆，所述多个存储器阵列半导体晶圆和所述CMOS控制器晶圆一起作为单个集成闪存存储器半导体器件工作。在实施方案中，所述CMOS控制器晶圆可包括半导体管芯，所述半导体管芯包括与存储器阵列逻辑电路集成在一起的ASIC逻辑电路。
本发明授权包括分叉存储器模块的高容量半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种被配置为与主机设备一起运行的半导体器件，所述半导体器件包括：第一半导体管芯，所述第一半导体管芯具有主表面并且包括：被配置为与所述主机设备交互的ASIC逻辑电路，所述ASIC逻辑电路设置在沿着垂直于所述第一半导体管芯内的所述主表面的轴的第一高度处，和被配置为与存储器阵列交互的存储器阵列逻辑电路，所述存储器阵列逻辑电路设置在沿着垂直于所述第一半导体管芯内的所述主表面的所述轴的第二高度，所述第二高度不同于所述第一高度；和沿着垂直于所述主表面的所述轴耦接到所述第一半导体管芯的一组一个或多个第二半导体管芯，所述一组一个或多个第二半导体管芯包括被配置为与所述第一半导体管芯的所述存储器阵列逻辑电路交互的所述存储器阵列。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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