恭喜意法半导体国际有限公司V·K·沙马获国家专利权
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龙图腾网恭喜意法半导体国际有限公司申请的专利用于集成电路的闩锁免疫技术获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110660810B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910563441.5，技术领域涉及：H10D84/90；该发明授权用于集成电路的闩锁免疫技术是由V·K·沙马设计研发完成，并于2019-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于集成电路的闩锁免疫技术在说明书摘要公布了：本公开涉及用于集成电路的闩锁免疫技术。例如，在支持互补金属氧化物半导体CMOS集成电路的集成电路中，通过用n阱带围绕热n阱来支持闩锁免疫性，其中n阱带通过根据设计规则的指定距离与热n阱隔开。n阱带位于热n阱和其他n阱或n型扩散结构之间。
本发明授权用于集成电路的闩锁免疫技术在权利要求书中公布了：1.一种集成电路，包括：半导体衬底，掺杂有第一导电类型；第一半导体阱，在所述半导体衬底内掺杂有第二导电类型，并且包括：第一区域，重掺杂有所述第二导电类型，其中所述第一区域连接至电源节点；和第二区域，重掺杂有所述第一导电类型，其中所述第二区域连接至集成电路焊盘；第二半导体阱，在所述半导体衬底内掺杂有所述第二导电类型；第三区域，在所述第二半导体阱内重掺杂有所述第二导电类型，其中所述第三区域连接至接地节点；第三半导体阱，在所述半导体衬底内掺杂有所述第二导电类型；以及第四区域，在所述第三半导体阱内重掺杂有所述第二导电类型，其中所述第四区域通过电阻器连接至所述集成电路焊盘；其中所述第三半导体阱在所述第一半导体阱和所述第二半导体阱之间位于所述半导体衬底内。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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