恭喜英飞凌科技股份有限公司C.M.博杨恰努获国家专利权
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龙图腾网恭喜英飞凌科技股份有限公司申请的专利晶体管器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110620138B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910526459.8，技术领域涉及：H10D62/10；该发明授权晶体管器件是由C.M.博杨恰努;L.陈;S.索辛;A.C.G.伍德设计研发完成，并于2019-06-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶体管器件在说明书摘要公布了：公开了一种晶体管器件。晶体管器件包括：半导体主体（100）；源极导体（21），在半导体主体（100）顶部上；源极夹（31），在源极导体（21）顶部上并且电连接到源极导体（21）；第一有源器件区（110），布置在半导体主体（100）中，被源极导体（21）和源极夹（31）覆盖，并包括至少一个器件单元（10）；和第二有源器件区（120），布置在半导体主体（100）中，被源极夹（31）未覆盖的源极导体（21）的区域覆盖并且包括至少一个器件单元（10、10'）。第一有源器件区（110）具有第一面积特定导通电阻，并且第二有源器件区（120）具有第二面积特定导通电阻，其中第二面积特定导通电阻大于第一面积特定导通电阻。
本发明授权晶体管器件在权利要求书中公布了：1.一种晶体管器件，包括：半导体主体100；源极导体21，在半导体主体100顶部上；源极夹31，在源极导体21顶部上并且电连接到源极导体21；第一有源器件区110，布置在半导体主体100中，被源极导体21和源极夹31覆盖，并包括至少一个器件单元10；和第二有源器件区120，布置在半导体主体100中，被源极夹31未覆盖的源极导体21的区域覆盖并且包括至少一个器件单元10、10'，其中第一有源器件区110具有第一面积特定导通电阻，其中第二有源器件区120具有第二面积特定导通电阻，并且其中第二面积特定导通电阻大于第一面积特定导通电阻。
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