恭喜长鑫存储技术有限公司李雄获国家专利权
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龙图腾网恭喜长鑫存储技术有限公司申请的专利反熔丝存储单元及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN111916423B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910388649.8，技术领域涉及：H01L23/525；该发明授权反熔丝存储单元及其形成方法是由李雄设计研发完成，并于2019-05-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本反熔丝存储单元及其形成方法在说明书摘要公布了：一种反熔丝存储单元及其形成方法，所述反熔丝存储单元包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的有源区，所述有源区包括互连区和条状区，所述条状区位于互连区一侧并与互连区连接；覆盖所述有源区全部表面的栅介质层；位于所述栅介质层上的上电极层，所述上电极层完全覆盖所述有源区表面上的栅介质层；贯穿所述上电极层和栅介质层且与所述互连区连接的第一接触插塞；与所述上电极层连接的第二接触插塞。本发明的反熔丝存储单元的编程电压降低。
本发明授权反熔丝存储单元及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种反熔丝存储单元，其特征在于，包括：半导体衬底；位于所述半导体衬底中的有源区，所述有源区包括互连区和条状区，所述条状区位于互连区一侧并与互连区连接；覆盖所述有源区全部表面的栅介质层；位于所述栅介质层上的上电极层，所述上电极层完全覆盖所述有源区表面上的所述栅介质层；贯穿所述上电极层和所述栅介质层且与所述互连区连接的第一接触插塞；与所述上电极层连接的第二接触插塞。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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