恭喜英飞凌科技奥地利有限公司O.布兰克获国家专利权
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龙图腾网恭喜英飞凌科技奥地利有限公司申请的专利半导体晶片、半导体芯片和制造半导体晶片的方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN110391202B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:201910307649.0,技术领域涉及:H01L23/488;该发明授权半导体晶片、半导体芯片和制造半导体晶片的方法是由O.布兰克设计研发完成,并于2019-04-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体晶片、半导体芯片和制造半导体晶片的方法在说明书摘要公布了:本发明涉及半导体晶片、半导体芯片和制造半导体晶片的方法。在实施例中,提供了一种半导体晶片,其包括多个组件位置,其中划线区域定位在组件位置邻近和之间中的至少一个。组件位置包括有源器件结构。至少一个辅助结构位于划线区域中的一个或多个中。辅助结构电耦合到包括钨的辅助接触焊盘。
本发明授权半导体晶片、半导体芯片和制造半导体晶片的方法在权利要求书中公布了:1.一种半导体晶片,包括:多个组件位置,其中划线区域定位在组件位置邻近和之间中的至少一个,组件位置包括有源器件结构,至少一个辅助结构,位于所述划线区域中的一个或多个中,其中所述辅助结构电耦合到包括钨的辅助接触焊盘,其中所述辅助接触焊盘包括暴露的钨表面,其中所述辅助接触焊盘与位于所述组件位置中的所述有源器件结构上并与之电耦合的金属化结构的第一导电层共面,其中所述金属化结构还包括第二导电层,所述第二导电层位于所述组件位置中,所述划线区域没有所述第二导电层。
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