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龙图腾网恭喜南方科技大学申请的专利温度调控器件及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN108461617B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201810129467.4，技术领域涉及：H10N10/80；该发明授权温度调控器件及制备方法是由刘玮书;张双猛;刘勇;邓满姣设计研发完成，并于2018-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本温度调控器件及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供了温度调控器件及其制备方法，是在第一基板和第二基板上分别设置图形化电极，然后将多个按照设计电路规则排布的N型和P型半导体热电单元所构成的热电阵列分别与第一、第二基板上电极连接，再将相变材料层覆设于第一基板或和第二基板另一表面。还可进一步在相变材料层上以及热电阵列、第一基板和第二基板的两侧包覆封装材料。本发明通过热电阵列与相变材料相结合，利用相变温度点附近的相变储热与潜热的释放，缓冲调节温度变化且通过自适应调节利用电流方向转换实现制冷与加热，从而实现了目标面的温度自感触调控，有效降低了能量消耗，可适用于各种复杂感应面的应用。

本发明授权温度调控器件及制备方法在权利要求书中公布了：1.温度调控器件制备方法，其特征在于，包括：热电阵列，包括多个按照设计电路规则排布、用以实现自适应温度感触功能的N型半导体热电单元和P型半导体热电单元；第一基板，其中一表面具有与各所述N型半导体热电单元和所述P型半导体热电单元对应的第一电极，所述第一电极与各所述N型半导体热电单元和所述P型半导体热电单元的一端面对应连接；所述N型半导体热电单元和所述P型半导体热电单元采用Bi2Te3、MgSi2、Mg3Sb2、GeSi、PbTe或CoSb3材料制成；或者是采用half-hesuler或有机热电材料制成；所述第一基板上之与目标物体表面相适配的感应面用于与模型底座外表面贴合固定；各所述第一电极与所述N型半导体热电单元和所述P型半导体热电单元的排列方式相适配，且大于所述N型半导体热电单元和所述P型半导体热电单元尺寸；第二基板，其中一表面具有与各所述N型半导体热电单元和所述P型半导体热电单元对应的第二电极，所述第二电极与各所述N型半导体热电单元和所述P型半导体热电单元的另一端面连接而使各所述N型半导体热电单元和所述P型半导体热电单元夹设于所述第一基板和所述第二基板之间且构成所述设计电路规则排布结构；所述第一基板与第二基板均为柔性基板，所述N型半导体热电单元和P型半导体热电单元按设计电路相互交错通过间隙间隔排列，所述第二电极相对所述第一电极错位设置；所述N型半导体热电单元和P型半导体热电单元与第一电极连接的第一端面和与第二电极连接的第二端面设有隔离层，所述隔离层为0.04-0.6mm厚的镍层，所述第一基板和所述第二基板采用聚酰亚胺柔性材料制成；相变材料层，用以实现相变温度点附近的相变储热与潜热的释放，覆设于所述第一基板或和所述第二基板向外的表面；所述N型和所述P型半导体热电单元尺寸为长0.1-5mm，宽0.1-5mm，高0.05-5mm；封装层，所述封装层覆设于所述相变材料层上且包覆组合后的所述热电阵列、所述第一基板和所述第二基板的两侧，所述封装层具有柔性；所述第一基板、第二基板、相变材料层和封装层均具有柔性；所述温度调控器件制备方法，包括下述步骤：在热电材料片上镀0.04-0.6mm厚的镍层，将N型半导体热电材料片和P型半导体热电材料片按尺寸切割形成一定规格的热电单元；在第一基板和第二基板上的一表面制备图形化的第一电极和第二电极；将具有多个与所述第一电极对应的小孔的网格置于所述第一基板之具有第二电极的表面上，然后将多个N型半导体热电单元和P型半导体热电单元按照可实现自适应温度感触功能的设计电路规则排列放置于对应设置的所述网格内，并使各所述N型半导体热电单元和所述P型半导体热电单元的一端面与所述第一电极对应连接且固定于所述第一基板上，再将网格移除；在各所述N型半导体热电单元和所述P型半导体热电单元固定连接于所述第一基板和所述第二基板之步骤中，是将网格覆设在所述第一基板上，并在所述网格小孔内滴加焊料于第一电极上，然后将所述N型半导体热电单元和所述P型半导体热电单元放入所述网格中，加热至170℃—180℃进行焊接，冷却后将所述网格移除；然后再将网格覆设在所述第二基板上，在所述第二电极上滴加焊料，使所述第一电极相对所述第二电极错位后与各所述N型半导体热电单元和所述P型半导体热电单元焊接；先设定所述第一电极和所述第二电极的断面长度相同，其长度尺寸不变，可根据目标物体的弯曲半径先计算相应的所述第一基板对应的变形角度及长度尺寸，再根据所述N型半导体热电单元和所述P型半导体热电单元的厚度及间隙计算所述第二基板长度尺寸；制作一与目标物体外表面相同的模型底座，然后将所述第一基板上的不含有所述N型半导体热电单元和所述P型半导体热电单元的另一表面与模型底座上与目标物体外表面相同的表面贴合，使所述第一基板弯曲，预成型为与模型底座之贴合面相同的形状；将所述第二基板上的所述第二电极与所述第一基板上的多个所述N型半导体热电单元和P型半导体热电单元之另一端面对应连接，使各所述N型半导体热电单元和所述P型半导体热电单元形成所述设计电路规则排布结构并夹设于所述第一基板和所述第二基板之间；将相变转变温度与室温较接近的新戊二醇NPG，与5％的柠檬酸水溶液，混合成胶状，涂覆于第一基板或和所述第二基板上，烘干固化形成相变材料层；选用聚二甲基硅氧烷PDMS封装，将主剂体与硬化剂以质量比10：1比例混合均匀后，抽真空除去混合液中的气泡，浇注在覆有所述相变材料层外表层以及组合后的所述相变材料层、第一基板、热电阵列和第二基板的左侧右侧，70-80℃加热1小时，固化成型，即制备成温度调控器件。

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