恭喜剑桥企业有限公司;阿卜杜勒阿齐兹国王科技城阿克沙伊·拉奥获国家专利权
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龙图腾网恭喜剑桥企业有限公司;阿卜杜勒阿齐兹国王科技城申请的专利复合型光捕获材料和装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112420930B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-03-28发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011044224.4，技术领域涉及：H10K30/87；该发明授权复合型光捕获材料和装置是由阿克沙伊·拉奥;布鲁诺·埃尔勒;理查德·亨利·弗兰德;马克西姆·塔巴切尼克设计研发完成，并于2015-07-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本复合型光捕获材料和装置在说明书摘要公布了：本申请涉及一种复合型光捕获材料和装置。其中光伏装置，包括光捕获装置和光伏电池；其中光捕获装置包括能够用分散在其中的发光材料来多激子产生的有机半导体光活性层；其中发光材料的带隙被选择为使得由于在有机半导体中的多激子产生而形成的三重态激子可以经由德克斯特能量转移从有机半导体被非放射性地转移到发光材料中；光伏电池被布置在发光材料的发射光程中并且具有第一光活性层，其中发光材料的带隙与第一光活性层的带隙匹配或高于第一光活性层的带隙。
本发明授权复合型光捕获材料和装置在权利要求书中公布了：1.一种光伏装置，包括：光捕获装置；和邻近的光伏电池；其中所述光捕获装置包括有机半导体光活性层，所述有机半导体光活性层能够用分散在其中的发光材料来多激子产生；其中所述发光材料包括无机纳米晶体半导体，所述无机纳米晶体半导体被配体钝化，所述配体使所述无机纳米晶体半导体溶解在与所述有机半导体相容的至少一种溶剂中；其中所述无机纳米晶体半导体的带隙被选择为与三重态激子共振，以经由德克斯特能量转移非放射性地将由于在所述有机半导体中的所述多激子产生而形成的所述三重态激子转移到所述无机纳米晶体半导体中；其中所述邻近的光伏电池被布置在所述发光材料的发射光程中并且具有第一光活性层；并且其中所述第一光活性层的带隙与所述无机纳米晶体半导体的带隙匹配或低于所述无机纳米晶体半导体的带隙。
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