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龙图腾网恭喜西安交通大学申请的专利一种用于感内储蓄池计算的光电器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119562694B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510122233.7，技术领域涉及：H10K30/65；该发明授权一种用于感内储蓄池计算的光电器件及其制备方法是由马伟;余肖;张森;赵闻达设计研发完成，并于2025-01-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种用于感内储蓄池计算的光电器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于光电探测技术领域，公开了一种用于感内储蓄池计算的光电器件及其制备方法，用于感内储蓄池计算的光电器件包括：衬底，衬底上设置有漏极，漏极、漏极和衬底上设置有聚合物半导体层，聚合物半导体层上设置有源极和栅极，源极、栅极和聚合物半导体层上设置有电解质；聚合物半导体层的材料为有机混合离子‑电子导体材料。本发明所提供的光电器件可以利用栅极电压调控器件的动态响应范围，并且器件表现出栅极电压依赖的可重构非线性弛豫特性，可以实现对光信号的感测、记忆与原位预处理功能，可以广泛应用于边缘人工视觉系统领域。

本发明授权一种用于感内储蓄池计算的光电器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于感内储蓄池计算的光电器件，其特征在于，包括衬底（1），衬底（1）上设置有漏极（2），漏极（2）和衬底（1）上设置有聚合物半导体层（3），聚合物半导体层（3）上设置有源极（4）和栅极（5），源极（4）、栅极（5）和聚合物半导体层（3）上设置有电解质（6）；聚合物半导体层（3）的材料为有机混合离子-电子导体材料；衬底（1）为二氧化硅或硅；漏极（2）和源极（4）垂直设置；漏极（2）和源极（4）重叠区域内的聚合物半导体层（3）为沟道区域（7）；聚合物半导体层（3）的材料为聚3',4'-双2-2-2-甲氧基乙氧基乙氧基乙氧基-2,2':5',2''-噻吩，聚3',4'-双2-2-2-甲氧基乙氧基乙氧基乙氧基-2,2':5',2''-噻吩的结构式如下： 聚3',4'-双2-2-2-甲氧基乙氧基乙氧基乙氧基-2,2':5',2''-噻吩的分子量为2.25kDa。

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