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龙图腾网恭喜东南大学申请的专利一种基于磁性随机存取存储器的抗辐照关键电路设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119578314B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510120081.7，技术领域涉及：G06F30/32；该发明授权一种基于磁性随机存取存储器的抗辐照关键电路设计方法是由蔡浩;狄彦彤;刘孙辰星设计研发完成，并于2025-01-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于磁性随机存取存储器的抗辐照关键电路设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于磁性随机存取存储器的抗辐照关键电路设计方法，针对写驱动电路、字线译码驱动电路和列选电路中的基本组合逻辑单元，提出一种双模冗余（DoubleModuleRedundancy，DMR）的抗辐照标准单元加固方法，并建立抗辐照标准单元库。围绕15个标准单元完成抗辐照单元库配置并绘制版图，同时仿真验证了数据准确性。相比传统三模冗余（TripleModuleRedundancy，TMR）加固方案，在维持抗辐照性能前提下极大地降低功耗、版图面积和延迟时间。

本发明授权一种基于磁性随机存取存储器的抗辐照关键电路设计方法在权利要求书中公布了：1.一种基于磁性随机存取存储器的抗辐照关键电路设计方法，其特征在于，对于包括写驱动电路、字线译码及驱动电路和列选电路在内的外围电路，针对其中的基本组合逻辑单元，提出双模冗余的标准组合逻辑单元抗辐照加固RH方法；对基本组合逻辑单元电路加固后，得到经过标准化设计的标准组合逻辑单元，围绕15个标准组合逻辑单元电路建立了抗辐照标准单元库，在外围电路设计中使用抗辐照标准单元库中的标准组合逻辑单元；所述双模冗余标准组合逻辑单元抗辐照加固RH方法所得的标准组合逻辑单元电路，对需要加固的组合逻辑单元电路模块复制两次，并进行组合逻辑单元电路中不同逻辑间PMOS管和NMOS管的交叉相连，加固所得的电路是双输入双输出结构，防止单粒子将一个组合逻辑单元的电路同时打翻；所述外围电路通过输入WEB信号来产生读使能信号RDEN和写使能信号WTEN，从而控制读操作和写操作的切换；在设计中，每16行位线BL和源线SL复用一套读写电路，定义为一个子阵列，一个完整的256Kb的存储阵列共有32个子阵列，每次同时进行32位数据的读写，因此输入数据DIN以及输出数据DOUT都为32位；输入数据DIN被送入写驱动电路，再连接到写列选电路的WBL、WSL；地址信号ADDR共有13位，其中低四位地址信号ADDR3:0被送入读列选电路或写列选电路，用来进行BL和SL的列选；高九位地址信号ADDR12:4用来产生512位的字线WL信号，并根据字线译码及驱动电路产生的RDEN和WTEN信号来选择不同的操作电压进行工作。

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