恭喜上海集迦电子科技有限公司吴志伟获国家专利权
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龙图腾网恭喜上海集迦电子科技有限公司申请的专利连接结构及TC wafer测温系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119465105B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510051934.6，技术领域涉及：C23C16/52；该发明授权连接结构及TC wafer测温系统是由吴志伟;童佳云设计研发完成，并于2025-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本连接结构及TC wafer测温系统在说明书摘要公布了：本发明提供了一种连接结构及TCwafer测温系统，属于半导体设备技术领域，连接结构包括绝缘层、贯通带和多条引线，引线包括第一部分引线和第二部分引线，第一部分引线包裹于绝缘管内部，第二部分引线设置于贯通带上，绝缘管靠近贯通带的一侧固定在绝缘层上，绝缘层与贯通带对接，贯通带与绝缘层不重叠，绝缘管和贯通带不重叠。该连接结构应用于TCwafer测温系统对CVD机台腔体温度测试时，由于连接结构中贯通带与绝缘层不重叠，绝缘管和贯通带不重叠，绝缘层及绝缘管全部置于CVD腔体内部，贯通带位于CVD腔体外部，不会影响CVD腔体的密封效果，而且减少或者避免了TCwafer测温系统功能异常问题，降低了成本。
本发明授权连接结构及TC wafer测温系统在权利要求书中公布了：1.一种连接结构，应用于TCwafer测温系统，其特征在于：包括绝缘层、贯通带和多条引线；每条所述引线均包括第一部分引线和第二部分引线，所述第一部分引线包裹于绝缘管内部，所述第二部分引线设置于所述贯通带上；所述绝缘管靠近所述贯通带的一侧固定在所述绝缘层上，所述绝缘层与所述贯通带对接，所述贯通带与所述绝缘层不重叠，所述绝缘管和所述贯通带不重叠。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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