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龙图腾网恭喜甬江实验室申请的专利压阻式传感器PUF特征值生成方法和PUF密钥生成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119402197B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411979228.X，技术领域涉及：H04L9/18；该发明授权压阻式传感器PUF特征值生成方法和PUF密钥生成方法是由宓晓宇;吴晓昕设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本压阻式传感器PUF特征值生成方法和PUF密钥生成方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种压阻式传感器PUF特征值生成方法和PUF密钥生成方法。所述方法包括：处理器通过控制所述温度调整模块，调整所述压阻式传感器所处的环境温度；经所述温度调整模块，使所述压阻式传感器所处的环境温度为测试温度T1，在测试温度T1下，所述压力模拟结构模拟M1组外界压力组，获得所述压阻式传感器在每组外界压力下的电阻‑压力系数K，得到M1组电阻‑压力系数K，调整所述测试温度，重复步骤B‑步骤C1，直至得到J组测试温度下的多个电阻‑压力系数K，将J组所述测试温度作为激励，将各个测试温度下的多个K值作为响应，生成PUF特征值。这一方法能解决传感器上PUF的有效实现。

本发明授权压阻式传感器PUF特征值生成方法和PUF密钥生成方法在权利要求书中公布了：1.一种压阻式传感器PUF特征值生成方法，其特征在于，包括：步骤A：提供压阻式传感器，打开所述压阻式传感器的电源，所述压阻式传感器包括电源模块、处理器、温度调整模块和压阻式传感器结构；所述处理器通过控制所述温度调整模块，调整所述压阻式传感器所处的环境温度；所述压阻式传感器结构包括压力模拟结构和惠斯通电桥，所述压力模拟结构用于模拟所述压阻式传感器受到的外界压力的变化；步骤B：经所述温度调整模块，使所述压阻式传感器所处的环境温度为测试温度T1；步骤C1：在测试温度T1下，所述压力模拟结构模拟M1组外界压力组，获得所述压阻式传感器在每组外界压力下的电阻-压力系数K，得到M1组电阻-压力系数K，每组外界压力组包括2个不同的压力值，每组外界压力下的电阻值为2个；其中，每组外界压力下的电阻-压力系数K是根据每组外界压力下的两个电阻的差值，和对应的每组外界压力组的两个压力值的差值来确定的；步骤D：调整所述测试温度，重复步骤B-步骤C1，直至得到J组测试温度下的多个电阻-压力系数K，所述K的数量为M1+M2+......+Mj，其中J和M1-Mj均为正整数；步骤E：将J组所述测试温度作为激励，将各个测试温度下的多个K值作为响应，生成PUF特征值。

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