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龙图腾网恭喜江西兆驰半导体有限公司申请的专利Micro LED外延片及其制备方法、Micro LED芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119403311B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411977493.4，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权Micro LED外延片及其制备方法、Micro LED芯片是由舒俊;高虹;郑文杰;张彩霞;刘春杨;胡加辉;金从龙设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本Micro LED外延片及其制备方法、Micro LED芯片在说明书摘要公布了：本发明涉及光电技术领域，公开了一种MicroLED外延片及其制备方法、MicroLED芯片，所述MicroLED外延片包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层；第一多量子阱层包括至少一组依次层叠的第一InGaN量子阱层、第一AlGaNGaN超晶格层和第一GaN量子垒层，第二多量子阱层包括至少一组依次层叠的第二InGaN量子阱层、第二AlGaNGaN超晶格层和第二GaN量子垒层，第三多量子阱层包括至少一组依次层叠的第三InGaN量子阱层、空穴注入层和第三GaN量子垒层。本发明提供的MicroLED外延片能够提高MicroLED芯片在低工作电流密度下的光效。

本发明授权Micro LED外延片及其制备方法、Micro LED芯片在权利要求书中公布了：1.一种MicroLED外延片，其特征在于，包括衬底，所述衬底上依次设有缓冲层、N型GaN层、多量子阱层、P型GaN层；所述多量子阱层包括依次层叠的第一多量子阱层、第二多量子阱层和第三多量子阱层，所述第一多量子阱层包括至少一组依次层叠的第一InGaN量子阱层、第一AlGaNGaN超晶格层和第一GaN量子垒层，所述第二多量子阱层包括至少一组依次层叠的第二InGaN量子阱层、第二AlGaNGaN超晶格层和第二GaN量子垒层，所述第三多量子阱层包括至少一组依次层叠的第三InGaN量子阱层、空穴注入层和第三GaN量子垒层，所述空穴注入层包括依次层叠的第一AlGaN层、Mg掺杂AlInGaN层和第二AlGaN层，所述第一AlGaNGaN超晶格层和所述第二AlGaNGaN超晶格层中均掺杂Si；所述第二多量子阱层的发光波长＞所述第一多量子阱层的发光波长，所述第二多量子阱层的发光波长＞所述第三多量子阱层的发光波长；所述第一InGaN量子阱层的In组分含量＜所述第二InGaN量子阱层的In组分含量；所述第一InGaN量子阱层的In组分含量＜所述第二InGaN量子阱层的In组分含量。

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