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龙图腾网恭喜北京邮电大学申请的专利雪崩光电探测器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119364880B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411896873.5，技术领域涉及：H10F30/225；该发明授权雪崩光电探测器及其制备方法是由刘巧莉;高麦伦;张炜;李少斌;李凯凯;胡安琪;郭霞设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本雪崩光电探测器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请实施例提供一种雪崩光电探测器及其制备方法。雪崩光电探测器包括雪崩光电二极管和提取结构，雪崩光电二极管包括依次设置的第一接触层、电荷层、光吸收层和第二接触层；第一接触层、提取结构具有第一掺杂类型，电荷层和光吸收层具有第二掺杂类型，第一掺杂类型与第二掺杂类型不同，第一接触层、电荷层、光吸收层和第二接触层共同形成第一电场；提取结构位于雪崩光电二极管沿第二方向的外侧，提取结构和光吸收层共同形成第二电场，第一方向与第二方向相交；第一电场与第二电场不接触。通过在原有的雪崩光电探测器的电场区外侧引入提取结构，提取结构可以吸引外侧的载流子，减少载流子扩散进入电场区以引入额外的扩散电流，从而降低器件噪声。

本发明授权雪崩光电探测器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种雪崩光电探测器，其特征在于，包括雪崩光电二极管100和提取结构200，所述雪崩光电二极管100包括沿第一方向Y依次设置的第一接触层110、电荷层120、光吸收层130和第二接触层140；所述第一接触层110具有第一掺杂类型，所述电荷层120、所述光吸收层130和所述第二接触层140具有第二掺杂类型，所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型不同，所述第一接触层110、所述电荷层120、所述光吸收层130和所述第二接触层140共同形成第一电场101；所述提取结构200具有所述第一掺杂类型，所述提取结构200位于所述雪崩光电二极管100沿第二方向X的外侧，所述提取结构200和所述光吸收层130连接并与所述光吸收层130共同形成第二电场102，所述第一方向Y与所述第二方向X相交；所述提取结构200包括提取电极210和提取部220，所述提取部220位于所述第一接触层110沿所述第二方向X的外侧，所述提取电极210位于所述提取部220背离所述第二接触层140的一侧，所述提取电极210与所述提取部220连接；所述第一电场101与所述第二电场102不接触；所述第一电场101和所述第二电场102之间形成中性区103；所述提取结构200输入的电压增大时，所述中性区103的尺寸减小；和或，所述提取结构200与所述第一接触层110之间的距离减小时，所述中性区103的尺寸减小。

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