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龙图腾网恭喜湖北九峰山实验室申请的专利一种宽禁带半导体沟槽栅MOSFET结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119342864B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411871567.6，技术领域涉及：H10D30/63；该发明授权一种宽禁带半导体沟槽栅MOSFET结构及其制作方法是由袁俊;成志杰;郭飞;王宽;吴阳阳;陈伟设计研发完成，并于2024-12-18向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽禁带半导体沟槽栅MOSFET结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种宽禁带半导体沟槽栅MOSFET结构及其制作方法，该结构中N+电流扩展层位于N‑外延层上部区域内；P‑well区位于N+电流扩展层上，源极N+区位于P‑well区上；多个沟槽栅电极沿水平方向间隔布设，位于中部区域的相邻两个沟槽栅电极之间设有第一源极P+区；沟槽栅电极沿纵向方向贯穿源极N+区、P‑well区和N+电流扩展层并延伸至N‑外延层中；沟槽栅电极底部设有第二源极P+区；P型连接区在第二方向连接多个第二源极P+区；沟槽栅电极的上方设有层间介质层；N+接触区在第一源极P+区处沿第一方向延伸布设，肖特基接触区位于N+接触区的上方。该结构可以提升器件电流密度，提高器件的导通特性，还可以形成网状P型区域保护栅电极，提升器件栅极动态可靠性。

本发明授权一种宽禁带半导体沟槽栅MOSFET结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种宽禁带半导体沟槽栅MOSFET结构，其特征在于，包括：N+衬底、N-外延层、N+电流扩展层、P型连接区、P-well区、第一源极P+区、第二源极P+区、源极N+区、沟槽栅电极、层间介质层、N+接触区和肖特基接触区；所述N-外延层位于所述N+衬底的上方，所述N+电流扩展层位于所述N-外延层的上部区域内；所述P-well区位于所述N+电流扩展层上，所述源极N+区位于所述P-well区上；所述沟槽栅电极为多个，任一所述沟槽栅电极沿第一方向延伸布设；多个所述沟槽栅电极沿第二方向间隔布设，位于中部区域的相邻两个所述沟槽栅电极之间设有所述第一源极P+区；任一所述沟槽栅电极沿纵向方向自上而下贯穿所述源极N+区、所述P-well区和所述N+电流扩展层并延伸至所述N-外延层中；任一所述沟槽栅电极的底部设有所述第二源极P+区；所述P型连接区在所述第二方向连接多个所述第二源极P+区；任一所述沟槽栅电极的上方设有所述层间介质层；所述N+接触区与所述第一源极P+区沿所述第一方向间隔布设，所述肖特基接触区位于所述N+接触区的上方，以在所述N+接触区集成构建形成一个结势垒肖特基二极管；其中，所述第一方向和所述第二方向均为水平横向方向、且相互垂直设置；位于中部区域的相邻两个所述沟槽栅电极之间的水平距离定义为L1，位于两侧的相邻两个所述沟槽栅电极之间的水平距离定义为L2；L1大于L2；所述P型连接区用于将位于L1两侧和位于L2两侧的所述第一源极P+区和所述第二源极P+区全部连接起来；所述P型连接区包括第一P型连接区和第二P型连接区；所述第一P型连接区连接L1两侧的所述第二源极P+区和位于中部的所述第一源极P+区、以及位于其中一组L2两侧的所述第二源极P+区；所述第二P型连接区连接另一组L2两侧的所述第二源极P+区。

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