恭喜恒泰柯半导体(上海)有限公司罗志云获国家专利权
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龙图腾网恭喜恒泰柯半导体(上海)有限公司申请的专利一种快速恢复二极管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119421422B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411774713.3，技术领域涉及：H10D8/50；该发明授权一种快速恢复二极管及其制备方法是由罗志云;潘梦渝;王飞设计研发完成，并于2024-12-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种快速恢复二极管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种快速恢复二极管及其制备方法，涉及半导体技术领域，快速恢复二极管包括：半导体本体，包括终端区和有源区；其中，终端区中掺杂有第一复合中心杂质，第一复合中心杂质用于复合终端区中的少子，以调节终端区中少子的寿命；在终端区指向有源区的方向上，第一复合中心杂质的掺杂浓度逐渐减小；第一凹槽，位于半导体本体的第一表面，且位于终端区远离有源区的区域；其中，半导体本体还包括相对设置的第一表面和第二表面；第一凹槽用于作为第一复合中心杂质的扩散中心，第一复合中心杂质从第一凹槽向终端区中扩散。本发明提供的技术方案，提升了快恢复二极管的性能和可靠性。
本发明授权一种快速恢复二极管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种快速恢复二极管，其特征在于，包括：半导体本体，包括终端区和有源区；其中，所述终端区中掺杂有第一复合中心杂质，所述第一复合中心杂质用于复合所述终端区中的少子，以调节所述终端区中少子的寿命；在所述终端区指向所述有源区的方向上，所述第一复合中心杂质的掺杂浓度逐渐减小；第一凹槽，位于所述半导体本体的第一表面，且位于所述终端区远离所述有源区的区域；其中，所述半导体本体还包括相对设置的第一表面和第二表面；所述第一凹槽用于作为所述第一复合中心杂质的扩散中心，所述第一复合中心杂质从所述第一凹槽向所述终端区中扩散；所述第一复合中心杂质包括铂和或金。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人恒泰柯半导体(上海)有限公司，其通讯地址为：201210 上海市浦东新区中国(上海)自由贸易试验区盛夏路560号902C-7室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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