买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜湖北江城实验室申请的专利半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119252798B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411777712.4，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构是由彭昊阳;刘淑娟;江仲开;王一鸣设计研发完成，并于2024-12-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本公开实施例提供了一种半导体的制备方法及半导体结构，其中，所述方法包括：在衬底的第一表面上形成凹槽结构；依次形成第一阻挡层和第一钝化层，第一阻挡层覆盖凹槽结构的侧壁和底部，第一钝化层覆盖第一阻挡层位于凹槽结构的底部的部分；将第一阻挡层与凹槽底部接触的表面定义为预设表面。在凹槽结构中形成掩埋式电源轨；在衬底的第二表面上形成通孔结构，通孔结构暴露出第一阻挡层的预设表面；其中，第一表面与第二表面为衬底相对设置的两个表。形成第二钝化层，第二钝化层位于通孔结构的底部并覆盖至少部分预设表面；在通孔结构中填充第二导电材料以形成导电结构；执行热处理工艺，以在导电结构与掩埋式电源轨之间形成目标界面。

本发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：提供衬底；在所述衬底的第一表面上形成凹槽结构；依次形成第一阻挡层和第一钝化层，所述第一阻挡层覆盖所述凹槽结构的侧壁和底部，所述第一钝化层覆盖所述第一阻挡层位于所述凹槽结构的底部的部分；其中，将所述第一阻挡层与所述凹槽底部接触的表面定义为预设表面；在所述凹槽结构中填充第一导电材料以形成掩埋式电源轨；在所述衬底的第二表面上形成通孔结构，所述通孔结构暴露出所述第一阻挡层的预设表面；其中，所述第一表面与所述第二表面为所述衬底相对设置的两个表面；形成第二钝化层，所述第二钝化层位于所述通孔结构的底部并覆盖至少部分所述预设表面；在所述通孔结构中填充第二导电材料以形成导电结构；执行热处理工艺，以在所述导电结构与所述掩埋式电源轨之间形成目标界面。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北江城实验室，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区光谷一路227号3号楼；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。