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龙图腾网恭喜中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种高功率芯片的高可靠高散热的封装方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119230422B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411747472.3，技术领域涉及：H01L21/52；该发明授权一种高功率芯片的高可靠高散热的封装方法是由张鹏;耿雪其;王贺贺;王成迁设计研发完成，并于2024-12-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高功率芯片的高可靠高散热的封装方法在说明书摘要公布了：本发明属于集成电路封装技术领域，特别涉及一种高功率芯片的高可靠高散热的封装方法。包括如下步骤：提供硅晶圆，在所述硅晶圆的正面上用光刻工艺光刻出图形，再使用干法刻蚀工艺，刻蚀出空腔；提供异构芯片，将所述异构芯片使用高精度装片机填装于所述空腔中，并使用干膜材料将所述异构芯片与所述空腔之间的空隙填充满；在所述硅晶圆的正面，使用再布线工艺，形成钝化层、金属再布线层和导电通孔；使用划片工艺，将所述硅晶圆沿划片道进行划片。本发明将封装体的正背面和四周侧面均被包覆起来，确保封装体的可靠性。同时通过在芯片背面制作高导热系数的金属散热层作为散热通路，解决了芯片埋置于封装体内无法有效散热的问题。

本发明授权一种高功率芯片的高可靠高散热的封装方法在权利要求书中公布了：1.一种高功率芯片的高可靠高散热的封装方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一：提供硅晶圆，在所述硅晶圆的正面上用光刻工艺光刻出图形，再使用干法刻蚀工艺，刻蚀出空腔；步骤二：提供异构芯片，将所述异构芯片使用高精度装片机填装于所述空腔中，并使用干膜材料将所述异构芯片与所述空腔之间的空隙填充满；步骤三：在所述硅晶圆的正面，使用再布线工艺，形成钝化层、金属再布线层和导电通孔；步骤四：使用划片工艺，将所述硅晶圆沿划片道进行划片，以形成单颗封装体；步骤五：将若干所述单颗封装体按需求阵列排布，通过塑封材料进行包覆塑封，以形成塑封载体；所述塑封载体采用树脂基圆片或树脂基方片作为树脂基底；步骤六：使用减薄工艺，减薄所述塑封载体的背面，露出所述异构芯片的背面；步骤七：在所述异构芯片的背面制作高导热系数的金属散热层；步骤八：在所述塑封载体正面露出的导电通孔上，使用植球工艺，植上焊球；最后采用划片工艺，将所述塑封载体沿划片道进行划片，以形成最终封装体；所述步骤三中，通过采用光刻、溅射和电镀工艺形成钝化层、金属再布线层和导电通孔；其中所述钝化层为聚酰亚胺类材料，其厚度为5μm以上，所述金属再布线层为一层或多层，其厚度在3μm以上；所述步骤二中的所述干膜材料和所述步骤五中的所述塑封材料，均为包括树脂类和聚酰亚胺类在内的聚合物材质。

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