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龙图腾网恭喜杭州士兰集昕微电子有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法、半导体器件的设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119092488B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411577662.5，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权半导体器件及其制造方法、半导体器件的设计方法是由韩健;顾悦吉;黄示;张衡;孟美灵;杨婷设计研发完成，并于2024-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法、半导体器件的设计方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体器件及其制造方法、半导体器件的设计方法，包括：IGBT元胞和电流传感器元胞，IGBT元胞和电流传感器元胞集成在同一漂移区上，IGBT元胞与电流传感器元胞共用栅极；阻挡层，阻挡层位于漂移区中，阻挡层将半导体器件分为第一元胞区、第二元胞区和过渡区，过渡区位于第一元胞区和第二元胞区之间，阻挡层位于过渡区的漂移区内，第一元胞区为IGBT元胞区，第二元胞区为电流传感器元胞区。第二元胞区与第一元胞区共用栅极，过渡区具有阻挡层能够提高第二元胞区与第一元胞区之间的寄生双极型晶体管的基区浓度，使得能够减少对电流传感器的干扰，进而使得电流传感器输出电流的准确性得到提高。本发明的技术方案使得提高器件初次设计的成功率。

本发明授权半导体器件及其制造方法、半导体器件的设计方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：IGBT元胞和电流传感器元胞，所述IGBT元胞和所述电流传感器元胞集成在同一漂移区上，所述IGBT元胞与所述电流传感器元胞共用一个栅极；第一掺杂类型的阻挡层，所述阻挡层位于第一掺杂类型的所述漂移区中，所述阻挡层将所述半导体器件分为第一元胞区、第二元胞区和过渡区，通过在所述过渡区的漂移区内形成所述阻挡层，使得所述漂移区的掺杂浓度增大，所述第二元胞区位于所述半导体器件的中间，所述第一元胞区位于所述半导体器件的周围，所述过渡区位于所述第一元胞区和所述第二元胞区之间，所述阻挡层位于所述过渡区的漂移区内，所述第一元胞区为IGBT元胞区，所述第二元胞区为电流传感器元胞区；所述半导体器件包括：若干第二掺杂类型的阱区，所述阱区从所述漂移区的正面延伸至所述漂移区内并位于所述阻挡层之上；若干第二掺杂类型的第一注入区，所述第一注入区分别位于各自的所述阱区内；第一掺杂类型的第二注入区，其中，位于所述第一元胞区的阱区中的第一注入区的两端的第二注入区作为IGBT发射区，位于所述第二元胞区的阱区中的第一注入区的两端的第二注入区作为电流传感器电流检测区；栅极，所述栅极跨接在相邻两个阱区之间，栅极通过栅介质层同所述IGBT发射区、电流传感器电流检测区以及第一注入区绝缘；绝缘介质层，所述绝缘介质层覆盖所述栅极、阱区并且所述绝缘介质层通过第一通孔露出所述第一元胞区的第一注入区及部分所述IGBT发射区，所述绝缘介质层通过第二通孔露出所述第二元胞区的第一注入区及部分所述电流传感器电流检测区；IGBT发射极，所述IGBT发射区通过所述第一通孔引出第一金属层形成所述IGBT发射极；电流传感器电流检测电极，所述电流传感器电流检测区通过所述第二通孔引出第二金属层形成所述电流传感器电流检测电极；第二掺杂类型的IGBT集电区，所述IGBT集电区位于所述漂移区的背面；IGBT集电极，所述IGBT集电区引出第三金属层作为IGBT集电极。

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