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龙图腾网恭喜珠海妙存科技有限公司申请的专利闪存介质的数据稳定性增强方法及其相关设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119088323B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411569200.9，技术领域涉及：G06F3/06；该发明授权闪存介质的数据稳定性增强方法及其相关设备是由贺乐;赖鼐设计研发完成，并于2024-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本闪存介质的数据稳定性增强方法及其相关设备在说明书摘要公布了：本申请实施例提供了一种闪存介质的数据稳定性增强方法及其相关设备，方法包括获取闪存介质的初始闪存类型，并确定初始闪存类型对应的M个数据页；获取闪存介质的目标闪存类型，并根据目标闪存类型获取N组用户数据；基于预设运算规则生产N组用户数据对应的冗余数据；将N组用户数据分别写入到任意N个数据页中，并将冗余数据写入到M个数据页剩余的数据页中；对初始闪存类型对应的2^M个初始读取电压进行偏移矫正处理，得到2^N个目标读取电压，以根据2^N个目标读取电压读取N个数据页中的用户数据，可以有效增加不同电荷状态之间的阈值电压间隔，且无需使用重读命令反复调整读电压，进而可以减少读延迟，并有效提升数据稳定性。

本发明授权闪存介质的数据稳定性增强方法及其相关设备在权利要求书中公布了：1.一种闪存介质的数据稳定性增强方法，其特征在于，包括：获取闪存介质的初始闪存类型，并确定所述初始闪存类型对应的M个数据页；获取所述闪存介质的目标闪存类型，并根据所述目标闪存类型获取N组用户数据；基于预设运算规则生产所述N组用户数据对应的冗余数据；将所述N组用户数据分别写入到任意N个所述数据页中，并将所述冗余数据写入到所述M个数据页剩余的数据页中；对所述初始闪存类型对应的2^M个初始读取电压进行偏移矫正处理，得到2^N个目标读取电压，以根据所述2^N个目标读取电压读取所述N个所述数据页中的用户数据；其中，所述M大于所述N，所述初始闪存类型包括Tlc，所述目标闪存类型包括Mlc；在所述将所述N组用户数据分别写入到任意N个所述数据页中，并将所述冗余数据写入到所述M个数据页剩余的数据页中，包括：将2组用户数据分别写入到任意2个所述数据页中，并将所述冗余数据写入到3个所述数据页剩余的1个数据页中；所述将2组用户数据分别写入到任意2个所述数据页中，并将所述冗余数据写入到3个所述数据页剩余的1个数据页中，包括：将2组用户数据分别写入到LSB和MSB中，并将所述冗余数据写入到CSB中；所述对所述初始闪存类型对应的2^M个初始读取电压进行偏移矫正处理，得到2^N个目标读取电压，包括：获取所述初始闪存类型对应的8个初始读取电压：ER、A、B、C、D、E、F以及G；将所述LSB对应的读取电压偏移到Er和B的中心点以及D和F的中心点，分别得到所述LSB对应的目标读取电压A和E；将所述MSB对应的读取电压偏移到B和D的中心点以及F的外侧，分别得到所述MSB对应的目标读取电压C和G。

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