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龙图腾网恭喜浙江广芯微电子有限公司申请的专利用于沟槽肖特基二极管制造的自动掺杂控制方法及系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119069394B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411553894.7，技术领域涉及：H01L21/67；该发明授权用于沟槽肖特基二极管制造的自动掺杂控制方法及系统是由谢刚;徐显修;龚妮娜;刘斌凯设计研发完成，并于2024-11-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于沟槽肖特基二极管制造的自动掺杂控制方法及系统在说明书摘要公布了：本发明公开了用于沟槽肖特基二极管制造的自动掺杂控制方法及系统，涉及半导体制造技术领域，该方法包括：通过识别肖特基二极管的沟槽结构特征，并获取相应的功效需求，解析出掺杂浓度分布需求。然后，通过仿真空间对掺杂工艺进行模拟，得到相关工艺参数和掺杂评价结果，提取出稳定结构和风险偏差结构。针对这些风险偏差结构进行优化，获得最佳掺杂参数。最后，整合稳定结构和优化后的掺杂参数，生成用于控制掺杂过程的控制参数。解决了现有技术中沟槽肖特基二极管制造过程中不同区域电性能需求无法精确满足的技术问题，达到了对肖特基二极管关键电性能的精准调控。

本发明授权用于沟槽肖特基二极管制造的自动掺杂控制方法及系统在权利要求书中公布了：1.用于沟槽肖特基二极管制造的自动掺杂控制方法，其特征在于，包括：获取肖特基二极管的沟槽结构，对所述沟槽结构进行形状、深度、间距特征识别提取，得到沟槽结构特征；获取功效需求，并根据所述功效需求对所述沟槽结构特征进行掺杂浓度分布参数解析，获得掺杂浓度分布需求；通过仿真空间针对掺杂工艺手段进行参数模拟，获取沟槽结构特征的工艺参数及掺杂评价结果，基于所述掺杂评价结果提取稳定沟槽结构、风险偏差结构及其对应工艺参数；以所述掺杂浓度分布需求为目标，基于所述仿真空间对所述风险偏差结构及其工艺参数进行优化搜索，获得寻优掺杂参数；将所述稳定沟槽结构及其对应工艺参数与所述寻优掺杂参数，按照所述沟槽结构特征进行参数整合，生成掺杂控制参数；根据所述功效需求对所述沟槽结构特征进行掺杂浓度分布参数解析，获得掺杂浓度分布需求，包括：根据所述功效需求的各功效参数，进行电性能需求量化，所述功效需求包括导通电阻、反向漏电流、击穿电压、开关速度；获得掺杂浓度与电性能的映射函数关系；利用所述映射函数关系，对电性能需求量进行掺杂浓度计算，获得掺杂需求浓度；根据所述沟槽结构特征对所述掺杂需求浓度进行结构特征解析，获得所述掺杂浓度分布需求；所述获取沟槽结构特征的工艺参数及掺杂评价结果，包括：根据所述沟槽结构特征配置所述仿真空间的沟槽结构参数，利用掺杂浓度分布需求配置所述仿真空间的工艺目标参数，通过所述仿真空间进行工艺参数模拟，通过调整不同的工艺参数获得工艺模拟结果，所述工艺模拟结果具有结构位置标签；根据所述工艺目标参数的结构位置映射关系，对所述工艺模拟结果进行掺杂效果评价，获得掺杂评价结果，并建立所述工艺参数与所述掺杂评价结果映射关联；按照所述结构位置标签，对所述工艺参数及掺杂评价结果进行分类，构建各结构位置的数据集群；根据所述各结构位置的数据集群，进行效果一致性评价，利用所述工艺参数的理论掺杂结果与实际结果的比值作为评价系数，计算所述评价系数在数据集群中的离散度，确定一致性评价结果，将所述一致性评价结果加入所述掺杂评价结果中；将所述稳定沟槽结构及其对应工艺参数与所述寻优掺杂参数，按照所述沟槽结构特征进行参数整合，生成掺杂控制参数，包括：根据稳定沟槽结构、风险偏差结构对所述沟槽结构特征进行分割，确定沟槽结构的类型区域，并标注其对应的工艺参数，所述稳定沟槽结构标注稳定沟槽结构的工艺参数，所述风险偏差结构标注所述寻优掺杂参数；根据各类型区域的工艺参数进行离子注入范围分析，建立工艺耦合区域；根据所述工艺耦合区域进行各类型区域的影响性分析，获得区域影响修正系数；基于所述区域影响修正系数对所述工艺耦合区域进行参数均衡，确定耦合区域的均衡工艺参数；利用所述耦合区域的均衡工艺参数将所述稳定沟槽结构、风险偏差结构的工艺参数进行平滑连接，生成所述掺杂控制参数。

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