恭喜湖北江城芯片中试服务有限公司谢冬获国家专利权
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龙图腾网恭喜湖北江城芯片中试服务有限公司申请的专利一种转接板结构及其制备方法、封装结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118983287B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411455443.X，技术领域涉及：H01L23/48；该发明授权一种转接板结构及其制备方法、封装结构及其制备方法是由谢冬;汪松;王逸群;刘红设计研发完成，并于2024-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种转接板结构及其制备方法、封装结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种转接板结构及其制备方法、封装结构及其制备方法，该转接板结构包括沿第一方向电连接的第一子转接板结构和第二子转接板结构；第一子转接板结构包括第一凹槽和多个第一导电柱，第二子转接板结构包括第二凹槽和多个第二导电柱；第一凹槽的开口方向与第二凹槽的开口方向相对设置，至少一个第一导电柱和至少一个第二导电柱一一对应电连接。
本发明授权一种转接板结构及其制备方法、封装结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种转接板结构，其特征在于，所述转接板结构包括沿第一方向电连接的第一子转接板结构和第二子转接板结构；所述第一子转接板结构包括第一凹槽和多个第一导电柱，所述第二子转接板结构包括第二凹槽和多个第二导电柱；所述第一凹槽的开口方向与所述第二凹槽的开口方向相对设置且错位，至少一个所述第一导电柱和至少一个所述第二导电柱一一对应电连接；所述第一凹槽的数量为一个或多个，所述第二凹槽的数量为一个或多个；所述第一凹槽的容纳空间至少对应一个所述第二导电柱，所述第二凹槽的容纳空间至少对应一个所述第一导电柱；位于所述第一凹槽外的至少一个所述第一导电柱和位于所述第二凹槽外的至少一个所述第二导电柱沿所述第一方向对齐。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人湖北江城芯片中试服务有限公司，其通讯地址为：430000 湖北省武汉市武汉东湖新技术开发区光谷一路227号3号楼3号(自贸区武汉片区)；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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