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龙图腾网恭喜杭州行芯科技有限公司申请的专利一种对芯片电路设计进行性能评估的方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119067040B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411356338.0，技术领域涉及：G06F30/39；该发明授权一种对芯片电路设计进行性能评估的方法、电子设备是由请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2024-09-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种对芯片电路设计进行性能评估的方法、电子设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种对芯片电路设计进行性能评估的方法、电子设备，方法包括：获取第一芯片电路设计文件，该文件为通过对目标芯片电路进行金属填充设计得到的文件；根据电路设计文件，获取电路的金属填充物数据，形成金属填充规则；基于电路的各个迭代优化版本，进行性能评估，在性能评估过程中提取寄生参数时，基于金属填充规则模拟金属填充后的电路环境，以作为提取寄生参数的电路环境。本申请的技术方案，在首次基于电路设计文件获取金属填充规则后，后续迭代评估可以直接使用该金属填充规则模拟金属填充后的电路环境，无需反复进行金属填充设计来获得电路设计文件，有效提高分析效率，缩短设计周期，降低开发成本。

本发明授权一种对芯片电路设计进行性能评估的方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种对芯片电路设计进行性能评估的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：获取目标芯片电路对应的第一芯片电路设计文件，所述第一芯片电路设计文件为通过对所述目标芯片电路进行金属填充设计得到的文件；根据所述第一芯片电路设计文件，获取所述目标芯片电路的金属填充物数据，形成金属填充规则；基于所述目标芯片电路的各个迭代优化版本，进行性能评估，其中，在性能评估过程中提取寄生参数时，基于所述金属填充规则模拟金属填充后的电路环境，以作为提取寄生参数的电路环境；所述在性能评估过程中提取寄生参数时，基于所述金属填充规则模拟金属填充后的电路环境，以作为提取寄生参数的电路环境，包括：在性能评估过程中提取寄生参数时，判断当前是否为第一次迭代优化；若当前不是第一次迭代优化，则基于所述金属填充规则模拟金属填充后的电路环境，以作为提取寄生参数的电路环境。

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