恭喜合肥领航微系统集成有限公司王敖获国家专利权
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龙图腾网恭喜合肥领航微系统集成有限公司申请的专利一种压电MEMS芯片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119384213B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411295964.3，技术领域涉及：H10N30/88；该发明授权一种压电MEMS芯片的制备方法是由王敖;雷禹;满陆祥设计研发完成，并于2024-09-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种压电MEMS芯片的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种压电MEMS芯片的制备方法，包括在晶圆的正面生长压电层，其中压电层包括位于底层的第一电极层，以及与第一电极层相邻的缓冲层，自上而下依次刻蚀压电层的各分层至缓冲层，刻蚀缓冲层，在缓冲层形成刻蚀槽，对缓冲层刻蚀槽露出的第一电极层进行小线宽刻蚀，使第一电极层图形化，刻蚀晶圆，晶圆的背面形成背腔，晶圆的正面形成与压电层对应的图形。本发明通过设置缓冲层，有利于PZT的取向生长，提高PZT压电薄膜的成膜质量，利用缓冲层代替传统工艺中的保护层，MEMS芯片的制备工艺中，减少了在下层金属上生长、刻蚀保护层的工艺步骤，降低了MEMS芯片整个制备工艺的生产成本，也有利于提高整个制备工艺的良品率。
本发明授权一种压电MEMS芯片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种压电MEMS芯片的制备方法，其特征在于，包括：S1、在晶圆1的正面生长压电层2；其中，压电层2包括自下而上依次层叠生长的第一电极层21、缓冲层22、第一压电薄膜23和第二电极层24；S2、自上而下依次刻蚀第二电极层24、第一压电薄膜23至缓冲层22；S3、刻蚀缓冲层22，在缓冲层22形成刻蚀槽3；S4、对缓冲层22刻蚀槽3露出的第一电极层21进行小线宽刻蚀，使第一电极层21图形化；S5、刻蚀晶圆1。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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