恭喜武汉锐晶激光芯片技术有限公司胡维获国家专利权
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龙图腾网恭喜武汉锐晶激光芯片技术有限公司申请的专利一种具有小水平发散角的半导体激光芯片及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118920274B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411016481.5，技术领域涉及：H01S5/20；该发明授权一种具有小水平发散角的半导体激光芯片及制备方法是由胡维;安海岩;段会强设计研发完成，并于2024-07-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有小水平发散角的半导体激光芯片及制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出了一种具有小水平发散角的半导体激光芯片及制备方法，涉及半导体激光器芯片领域，包括由下至上依次堆叠的衬底层、n型包层、n型波导层、有源区、p型波导层、p型包层、p型限制层以及p型接触层，其中，所述p型限制层包括至少两个电流阻断层和导电介质层，所述导电介质层上沿所述激光芯片的长度方向开设有至少两个呈相对且间隔设置的阻断槽，所述至少两个电流阻断层分别设置于对应的阻断槽内，所述p型限制层用于调节相邻两个所述电流阻断层之间形成的载流子注入区的形成位置，以抑制电流在所述p型限制层中的横向扩散。本发明有助于提升激光器输出功率和光束质量。
本发明授权一种具有小水平发散角的半导体激光芯片及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种具有小水平发散角的半导体激光芯片，其特征在于，包括由下至上依次堆叠的衬底层1、n型包层2、n型波导层3、有源区4、p型波导层5、p型包层6、p型限制层7以及p型接触层8，其中，所述p型限制层7包括至少两个电流阻断层72和导电介质层71，所述导电介质层71上沿所述激光芯片的长度方向开设有至少两个呈相对且间隔设置的阻断槽，所述至少两个电流阻断层72分别设置于对应的阻断槽内，所述p型限制层7用于调节相邻两个所述电流阻断层72之间形成的载流子注入区的形成位置，以抑制电流在所述p型限制层7中的横向扩散；相邻两个电流阻断层72与所述相邻两个电流阻断层72之间形成的载流子注入区的面积之比为0.4～0.67，且所述载流子注入区的宽度为300μm～500μm。
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