福建省晋华集成电路有限公司冯立伟获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222706887U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202421470751.5，技术领域涉及：H10B12/00；该实用新型半导体器件是由冯立伟设计研发完成，并于2024-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种半导体器件。该半导体器件包括：衬底，包括单元区域和外围区域；多个位线，位于单元区域上；多个栅极结构，位于外围区域上；第一电介质层，位于相邻栅极结构之间；多个连接件，位于第一电介质层内，与衬底连接；多个存储节点接触结构，位于相邻位线之间；多个电容结构，位于存储节点接触结构上；硬掩模层，覆盖连接件的顶面；第二电介质层，包括位于硬掩模层上方的第一部分和位于存储节点接触结构上方的第二部分，第二电介质层的第一部分的顶点与第二部分的顶点位于不同水平高度。采用上述半导体器件，实现了在不增加工艺时间和工艺成本的基础上提升半导体器件性能的技术效果。
本实用新型半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括：衬底，包括单元区域和外围区域；多个位线，位于所述单元区域上；多个栅极结构，位于所述外围区域上；第一电介质层，位于相邻所述栅极结构之间；多个连接件，位于所述第一电介质层内，与所述衬底连接；多个存储节点接触结构，位于相邻所述位线之间；多个电容结构，位于所述存储节点接触结构上；硬掩模层，覆盖所述连接件的顶面；第二电介质层，包括位于所述硬掩模层上方的第一部分和位于所述存储节点接触结构上方的第二部分，所述第二电介质层的第一部分的顶点与所述第二部分的顶点位于不同水平高度。
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