杭州士兰微电子股份有限公司吴涛获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州士兰微电子股份有限公司申请的专利一种BCD器件获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222706895U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420941922.1，技术领域涉及：H10D84/40；该实用新型一种BCD器件是由吴涛;姚国亮;陈冬娟;吴旸;吴建兴;张邵华设计研发完成，并于2024-04-30向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种BCD器件在说明书摘要公布了：本申请公开了一种BCD器件，包括第一掺杂类型的衬底；第一掺杂类型的外延层，位于所述衬底上，所述外延层中形成第一LDMOS结构、低压NMOS结构、低压PMOS结构以及NPN结构；以及第一场氧和第二场氧，位于所述外延层的表面，所述第一场氧的厚度大于所述第二场氧的厚度；其中，在所述第一LDMOS结构中，所述第一场氧和所述第二场氧位于所述第一LDMOS结构的源极欧姆接触区和漏极欧姆接触区之间，所述第一场氧和所述第二场氧相互接触且所述第二场氧靠近所述源极欧姆接触区一侧。
本实用新型一种BCD器件在权利要求书中公布了：1.一种BCD器件，其特征在于，包括：第一掺杂类型的衬底；第一掺杂类型的外延层，位于所述衬底上，所述外延层中形成第一LDMOS结构、低压NMOS结构、低压PMOS结构以及NPN结构；以及第一场氧和第二场氧，位于所述外延层的表面，所述第一场氧的厚度大于所述第二场氧的厚度；其中，在所述第一LDMOS结构中，所述第一场氧和所述第二场氧位于所述第一LDMOS结构的源极欧姆接触区和漏极欧姆接触区之间，所述第一场氧和所述第二场氧相互接触，所述第二场氧靠近所述源极欧姆接触区一侧且不与所述第一LDMOS结构的源极欧姆接触区接触，所述第一场氧靠近所述第一LDMOS结构的漏极欧姆接触区一侧，且与所述第一LDMOS结构的漏极欧姆接触区邻接。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人杭州士兰微电子股份有限公司，其通讯地址为：310012 浙江省杭州市黄姑山路4号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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