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龙图腾网恭喜江苏多维科技有限公司申请的专利一种Z轴磁传感器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222704715U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420655978.0，技术领域涉及：G01R33/09；该实用新型一种Z轴磁传感器是由宋晨;徐杰;顾蕾设计研发完成，并于2024-04-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种Z轴磁传感器在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种Z轴磁传感器，包括：基板，磁通导磁器以及至少4个灵敏系数相同的磁电阻单元R1、R2、R3、R4；4个磁电阻单元设置在基板上连接成惠斯通全桥，磁电阻单元R1、R2构成第一半桥，磁电阻单元R3、R4构成第二半桥，两半桥分别位于磁通导磁器相对两侧面的外侧，惠斯通全桥的上桥臂上的两个磁电阻单元灵敏方向相同，两个下桥臂上的两个磁电阻单元灵敏方向相同。本实用新型通过将两个半桥电路分别设置在磁通导磁器相对两侧，同时保证惠斯通全桥的上桥臂上的磁电阻单元灵敏方向相同，惠斯通全桥的下桥臂上的两个桥臂的磁电阻单元灵敏方向相同，以使两个半桥电路输出的差分信号中水平干扰场的干扰信号得以消除。

本实用新型一种Z轴磁传感器在权利要求书中公布了：1.一种Z轴磁传感器，其特征在于，所述Z轴磁传感器包括：基板，磁通导磁器以及至少4个灵敏系数相同的磁电阻单元R1、R2、R3、R4；所述磁通导磁器，设置在基板上用于将Z轴磁场转化成X轴方向的磁场；所述磁电阻单元R1、R2、R3、R4设置在基板上连接成惠斯通全桥，构成所述惠斯通全桥第一半桥的磁电阻单元R1、R2位于所述磁通导磁器第一侧面外侧，构成所述惠斯通全桥第二半桥的磁电阻单元R3、R4位于所述磁通导磁器第二侧面外侧，第一侧面和第二侧面相对；第一侧面或第二侧面为ZY平面，则所述磁电阻单元R1、R2、R3、R4的灵敏方向与ZY的法线平行；所述惠斯通全桥的上桥臂上的两个磁电阻单元R1、R3灵敏方向相同，两个下桥臂上的两个磁电阻单元R2、R4灵敏方向相同。

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