恭喜福建省晋华集成电路有限公司洪欣妍获国家专利权
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龙图腾网恭喜福建省晋华集成电路有限公司申请的专利半导体结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN222706886U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202420614019.4，技术领域涉及：H10B12/00；该实用新型半导体结构是由洪欣妍;张钦福;童宇诚设计研发完成，并于2024-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种半导体结构。半导体结构包括衬底、多个第一栅极结构、二第一间隙壁、多个第二栅极结构、二第二间隙壁、多个栅极接触结构以及多个绝缘结构。多个第一栅极结构设置在衬底上。二第一间隙壁相对设置在第一栅极结构的两侧壁上。多个第二栅极结构设置在衬底上，第一栅极结构与第二栅极结构在第一方向上交替排列。二第二间隙壁相对设置在第二栅极结构的两侧壁上。多个栅极接触结构分别设置在第一栅极结构上。多个绝缘结构设置在栅极接触结构之间并分别设置在第二栅极结构上。至少一第一间隙壁的高度低于至少一第二间隙壁的高度。
本实用新型半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括：衬底；多个第一栅极结构，设置在所述衬底上；二第一间隙壁，相对设置在所述第一栅极结构的两侧壁上；多个第二栅极结构，设置在所述衬底上，所述第一栅极结构与所述第二栅极结构在第一方向上交替排列；二第二间隙壁，相对设置在所述第二栅极结构的两侧壁上；多个栅极接触结构，分别设置在所述第一栅极结构上；以及多个绝缘结构，设置在所述栅极接触结构之间并分别设置在所述第二栅极结构上；其中，至少一所述第一间隙壁的高度低于至少一所述第二间隙壁的高度。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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