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龙图腾网恭喜辽宁嘉玉科技有限公司;辽宁嘉音医疗科技有限公司申请的专利用于磁粒子成像的高灵敏度高温超导检测线圈的设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117852281B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410033855.8，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权用于磁粒子成像的高灵敏度高温超导检测线圈的设计方法是由白石;谌继超;史力伏;刘志尧;盖伶柯;李克文;李天舒;柯丽;赵殿丞;张敏;于泓利;王哲言设计研发完成，并于2024-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于磁粒子成像的高灵敏度高温超导检测线圈的设计方法在说明书摘要公布了：一种用于磁粒子成像的高灵敏度高温超导检测线圈的设计方法，属于磁粒子成像技术领域，解决现有技术通过降低外源性干扰方式来提高检测线圈信噪比，线圈内部噪声影响信噪比进一步提高的问题。该设计方法建立超导线圈在MPI条件下的各层薄膜所产生的损耗方式与损耗强度计算模型，依据数值理论的计算结果以及高温超导带材刚性弯折条件等制作了系列化高温超导线圈并进行验证；且开发了采用高温超导检测线圈的MPI成像系统，进行成像实验和性能验证。本发明的高温超导检测线圈模型设置在理想的MPI测量环境中，考虑到了磁场的频率、强度、方向以及线圈匝数、直径进行构建，具有更低的检测线圈总损耗，更低的噪声电压以及更加优良的超导检测线圈MPI成像效果。

本发明授权用于磁粒子成像的高灵敏度高温超导检测线圈的设计方法在权利要求书中公布了：1.一种用于磁粒子成像的高灵敏度高温超导检测线圈的设计方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、线圈内源性损耗与等效直流电阻分析；步骤二、高温超导线材与薄膜结构的设计；步骤三、高温超导检测线圈损耗分析模型的构建；步骤四、高温超导线圈磁滞损耗分析；步骤五、高温超导线圈涡流损耗分析；步骤六、高温超导线圈基底磁滞损耗分析；所述步骤三，建立以MPI为场景的高温超导检测线圈模型；设单条带材厚度为lw，高温超导带材宽度为w，N匝线圈绕制而成的线圈内直径为Din，厚度为dw；从线圈的最内侧Din处开始取坐标l＝0至l＝dw，第i层带材存在于l＝li-lw2和l＝li+lw2之间，其中li是第i个超导带材的中心位置；为降低激励噪声干扰，用于SPIONs激励的激励磁场Bac-ex施加在垂直于高温超导线材表面方向，同时线圈感应电流产生二次磁场Bac-in，Bac-ex为匀强场，而Bac-in在线圈内部最大，并在线圈外表面趋近于零，即线圈产生的二次磁场强度为l的函数Bac-inli；所述步骤四，对高温超导线材超导层中的磁滞损耗以临界状态理论进行分析；在YBCO类超导体中，当Bac以垂直方向入射至超导线材表面时，其会部分侵入高温超导线材两侧，且其侵入深度与外磁场强度及表面电流密度相关；w为高温超导带材宽度，s为侵入磁束的对称中心，τ为磁束未侵入部分长度，Jyz为表面电流密度；对于第i个高温超导带材，可得单位体积下的磁滞损耗为： 其中，f为频率，所述步骤五，以MPI场景下的高温超导检测线圈模型为基础，在MPI检测线圈典型频率下对常导体在Bac-ex匀强场与Bac-in二次磁场作用下的涡流损耗进行分析，对于第i个高温超导带材，在趋肤深度大于带材厚度的条件下，单位体积的涡流损耗为： 所述步骤六，所采用的高温超导带材其衬底为MgO，其铁磁损耗是B-H环的面积，是该环的最大磁场Bm的函数；本方法中采用实测获得的MgO的B-H曲线为计算参量，计算基底层在以MPI场景下的高温超导检测线圈模型中的磁滞损耗； 在不同Bac峰值下的面积可由如下表示： 对于第i个高温超导带材，得到单位体积的铁磁损耗为：P3＝SBHBac-maxli*f17。

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