恭喜中国工程物理研究院激光聚变研究中心邵婷获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国工程物理研究院激光聚变研究中心申请的专利一种提升熔石英元件抗紫外激光诱导损伤性能的刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116444167B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310480173.7，技术领域涉及：C03C15/00；该发明授权一种提升熔石英元件抗紫外激光诱导损伤性能的刻蚀方法是由邵婷;孙来喜;吴卫东;叶鑫;黎维华;肖凯博;高松;张晓璐;郑建刚设计研发完成，并于2023-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种提升熔石英元件抗紫外激光诱导损伤性能的刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种提升熔石英元件抗紫外激光诱导损伤性能的刻蚀方法，属于熔石英元件加工技术领域，对熔石英元件的表面进行反应离子刻蚀处理，所述反应离子刻蚀采用的等离子体包括氟碳等离子体、氩等离子体和氧等离子体，本发明采用纯干法刻蚀对熔石英元件进行表面后处理，在现有反应离子刻蚀技术基础上，通过在原料气中添加一定量的氧气，或是在刻蚀完成之后继续用氧等离子对样品进行一定时间的后处理，抑制F元素与熔石英基体的结合，抑制或修复次生缺陷的生成，提高元件抗损伤性能提升幅度。
本发明授权一种提升熔石英元件抗紫外激光诱导损伤性能的刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种提升熔石英元件抗紫外激光诱导损伤性能的刻蚀方法，其特征在于，将熔石英元件放置于反应离子刻蚀机的等离子体腔室内，对等离子体腔室抽真空后，通入原料气，开启等离子体射频电源产生等离子体对熔石英元件进行反应离子刻蚀处理，所述反应离子刻蚀采用的等离子体包括氟碳等离子体、氩等离子体和氧等离子体；原料气包括氟碳气体、氩气与氧气，所述氟碳气体、氩气的气流量配比为14:1，所述氟碳气体为CHF3，在原料气中添加一定量的氧气，抑制F元素与熔石英基体的结合，抑制次生缺陷的生成。
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