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龙图腾网恭喜中电化合物半导体有限公司申请的专利一种提高碳化硅晶体表面透明度的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115266755B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210917570.1，技术领域涉及：G01N21/95；该发明授权一种提高碳化硅晶体表面透明度的方法是由薛卫明;马远;李梦佳;潘尧波设计研发完成，并于2022-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种提高碳化硅晶体表面透明度的方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种提高碳化硅晶体表面透明度的方法，具体包括以下步骤：提供一碳化硅晶体，制备与所述碳化硅晶体折射率相适配的树脂溶液，将所述树脂溶液涂敷在所述碳化硅晶体表面并在其表面形成树脂层，将所述树脂层进行固化处理使其在所述碳化硅晶体表面形成透明树脂薄膜。本发明通过在碳化硅晶体表面制备透明树脂薄膜避免了对碳化硅晶体的精细磨抛操作，方便检测碳化硅的微管、杂质包裹物及多型嵌入的情况，节省了加工成本。

本发明授权一种提高碳化硅晶体表面透明度的方法在权利要求书中公布了：1.一种提高碳化硅晶体表面透明度的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：提供一碳化硅晶体；制备折射率与所述碳化硅晶体的折射率相适配的树脂溶液；将所述树脂溶液涂敷到所述碳化硅晶体的表面，在所述碳化硅晶体的表面形成树脂层；对所述树脂层进行固化处理，以在所述碳化硅晶体的表面形成透明树脂薄膜；其中，制备折射率与所述碳化硅晶体的折射率相适配的树脂溶液的步骤如下：将苯基三甲氧基硅烷和甲基异丁基酮按照一定质量比置入反应容器中，并将所述反应容器的温度保持在-5～5℃；将一定质量比的纯水、盐酸和四氢呋喃的混合液逐滴加入到所述反应容器中，搅拌20～120min，使上述组分混合均匀，其中，搅拌速度控制在1～100rpm；向所述反应容器内通入惰性气体，同时将所述反应容器的温度升高至30～90℃，使其在惰性气氛保护下反应1～10h；将一定质量比的钛酸四丁酯和四氢呋喃的混合液逐滴加入到所述反应容器中，时间控制在1～10h，得到混合溶液；将质量为所述混合溶液质量0.1％～10％的纳米金属化合物填料分散至所述反应容器中，搅拌均匀，得到树脂溶液。

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