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龙图腾网恭喜上海交通大学申请的专利含强放射源的三维辐射剂量场的半物理仿真方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114815662B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210464808.X，技术领域涉及：G05B17/02；该发明授权含强放射源的三维辐射剂量场的半物理仿真方法是由潘清泉;刘晓晶;熊进标;柴翔;张滕飞设计研发完成，并于2022-04-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本含强放射源的三维辐射剂量场的半物理仿真方法在说明书摘要公布了：一种含强放射源的三维辐射剂量场的半物理仿真方法，采用实体构造结构对放射源及周边的包覆结构进行几何建模与材料建模，并根据放射性核素的物理特性设置放射源；然后通过在模型中降低实体结构的密度，获得三维辐射剂量场的全局基准分布，以该全局基准分布计算重要性参数；再逐渐提高实体结构的密度，并基于重要性参数进行全减方差模拟，获得三维辐射剂量场的全局渐近分布；最后结合全局基准分布和全局渐近分布计算出真实密度条件下的三维辐射剂量场的全局近似分布，进而设置重要性参数并执行蒙卡计算，以获得真实密度条件下的三维辐射剂量场分布。本发明能够有效提升蒙卡屏蔽计算的效率，实现对真实物理模型的高效精准的半物理仿真，从而提高放射源处理的安全性和可控性。

本发明授权含强放射源的三维辐射剂量场的半物理仿真方法在权利要求书中公布了：1.一种含强放射源的三维辐射剂量场的半物理仿真方法，其特征在于，采用实体构造结构对放射源及周边的包覆结构进行几何建模与材料建模，并根据放射性核素的物理特性设置放射源；然后通过在模型中降低实体结构的密度，获得三维辐射剂量场的全局基准分布，以该全局基准分布计算重要性参数；再逐渐提高实体结构的密度，并基于重要性参数进行全减方差模拟，获得三维辐射剂量场的全局渐近分布；最后结合全局基准分布和全局渐近分布计算出真实密度条件下的三维辐射剂量场的全局近似分布，进而设置重要性参数并执行蒙卡计算，以获得真实密度条件下的三维辐射剂量场分布；所述的三维辐射剂量场的全局基准分布，具体通过如下方法获得：降低所有材料区域的密度M倍，执行蒙卡固定源计算获得三维辐射剂量场的全局基准分布，该全局基准分布能够描述三维辐射剂量场的整体分布趋势，但是因为模型密度的降低，导致空间各处的辐射剂量率被高估计；所述的三维辐射剂量场的全局渐近分布，具体通过如下方法获得：在获得全局基准分布的基础上，使用全局基准分布计算重要性参数，提高所有材料区域的密度2倍，执行全局减方差模拟，获得三维辐射剂量场的全局渐近分布，该全局渐近分布依然能够描述三维辐射剂量场的整体分布趋势，且因为密度的提高，相对于全局基准分布的精度更高，但是因为模型密度依然低于真实密度，所以全局渐近分布依然被高估计。

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