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龙图腾网恭喜江西誉鸿锦材料科技有限公司申请的专利一种亚垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114335195B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111675137.3，技术领域涉及：H10D8/60；该发明授权一种亚垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法是由邵春林;闫怀宝;闫发旺设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种亚垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种亚垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法，包括由下至上依次设置的衬底1、缓冲层2、n+‑GaN外延层3a、n‑‑GaN外延层3b，n‑‑GaN外延层3b上表面为肖特基电极设置区域13b，n+‑GaN外延层3a上表面局部露出部分为欧姆电极设置区域13a；第一绝缘保护层6a覆盖在欧姆电极设置区域13a上和肖特基电极设置区域13b上，且还覆盖在n+‑GaN外延层3a与n‑‑GaN外延层3b形成的台阶侧壁面上，第一绝缘保护层6a在欧姆电极设置区域13a上形成的窗口中设置有欧姆电极4，第一绝缘保护层6a在肖特基电极设置区域13b上形成的窗口中设置有肖特基电极5。本发明肖特基势垒二极管增加正向电流，提高反向击穿电压。

本发明授权一种亚垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种亚垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管，其特征在于，包括：衬底（1）及从所述衬底（1）上表面由下至上依次设置的缓冲层（2）、n+-GaN外延层（3a）和n--GaN外延层（3b）；所述n--GaN外延层（3b）上表面为肖特基电极设置区域（13b），所述n+-GaN外延层（3a）上表面局部露出，所述露出部分为欧姆电极设置区域（13a）；第一绝缘保护层（6a）,所述第一绝缘保护层（6a）覆盖在所述欧姆电极设置区域（13a）上和所述肖特基电极设置区域（13b）上，且第一绝缘保护层（6a）还覆盖在n+-GaN外延层（3a）与n--GaN外延层（3b）形成的台阶侧壁面上，所述第一绝缘保护层（6a）分别在所述欧姆电极设置区域（13a）和所述肖特基电极设置区域（13b）上表面形成有窗口；肖特基电极（5），其设置在所述肖特基电极设置区域（13b）的窗口部，所述肖特基电极（5）的边缘覆盖在所述第一绝缘保护层（6a）上构成场板结构；欧姆电极（4），所述欧姆电极（4）设置在所述欧姆电极设置区域（13a）的窗口中；所述的亚垂直结构氮化镓肖特基势垒二极管的制造方法，包括以下步骤：A.在衬底（1）上依次生长缓冲层（2）、n+-GaN外延层（3a）、n--GaN外延层（3b）；B.在n--GaN外延层（3b）的局部区域用刻蚀的方法将n--GaN外延层（3b）除去，露出n+-GaN外延层（3a）的区域构成欧姆电极设置区域（13a），未被刻蚀的n--GaN外延层（3b）区域构成肖特基电极设置区域（13b）；C.在欧姆电极设置区域（13a）上表面、肖特基电极设置区域（13b）上表面及n+-GaN外延层（3a）与n--GaN外延层（3b）形成的台阶侧壁面上沉积第一绝缘保护层（6a），所述第一绝缘保护层（6a）分别在所欧姆电极设置区域（13a）和所述肖特基电极设置区域（13b）上表面形成有窗口；D.在所述肖特基电极设置区域（13b）上表面窗口部用氮离子辅助注入式电子束蒸发镍的方法沉积氮化镍层，然后利用电子束蒸发法在所述氮化镍层上蒸发沉积金层，形成肖特基电极（5），肖特基电极（5）边缘覆盖在所述第一绝缘保护层（6a）形成场板结构；E.利用电子束蒸发工艺在所述欧姆电极设置区域（13a）上表面窗口部形成欧姆电极（4）。

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