恭喜武汉大学郭宇铮获国家专利权
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龙图腾网恭喜武汉大学申请的专利一种基于冷金属的负微分电阻二极管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114400251B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111664723.8，技术领域涉及：H10D62/80；该发明授权一种基于冷金属的负微分电阻二极管是由郭宇铮;殷奕恒;邵晨;张召富设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于冷金属的负微分电阻二极管在说明书摘要公布了：本发明涉及一种负微分电阻二极管，尤其是涉及一种基于冷金属的负微分电阻二极管，包括衬底以及设置在衬底上的电极,所述电极之间设有冷金属材质的范德华异质结。因此，本发明具有如下优点：1、本发明不同于现有的基于半导体材料的NDR器件，而是采用了基于“冷”金属材料的异质结，由于其金属性和独特的能带结构成功实现了极大的峰值电流，峰值电流相较于现有的隧道二极管高出数个数量级。2、本发明的“冷”金属异质结NDR器件能够同时产生极大的电流峰谷比和峰值电流。一方面更大的电流峰谷比和峰值电流可以提高器件的噪音容限，另一方面，更高的峰值电流提高了NDR器件的输出功率，从而提高了负阻振荡器的稳定性。
本发明授权一种基于冷金属的负微分电阻二极管在权利要求书中公布了：1.一种基于冷金属的负微分电阻二极管，其特征在于，包括衬底以及设置在衬底上的电极,所述电极之间的PN结是采用冷金属材质的范德华异质结；所述范德华异质结包括A层和A层上方的B层；所述A层为NbS2或TaS2中的任意一种；所述B层为NbSe2,或TaSe2中的任意一种。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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