买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利一种可抑制准粒子中毒的超导数字电路结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113937212B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111194146.0，技术领域涉及：H10N60/80；该发明授权一种可抑制准粒子中毒的超导数字电路结构及其制造方法是由林志荣;刘匡设计研发完成，并于2021-10-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种可抑制准粒子中毒的超导数字电路结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种可抑制准粒子中毒的超导数字电路结构及其制造方法，电路结构包括衬底、超导结构和正常金属层；所述超导结构设置在所述衬底上，所述正常金属电连接所述超导结构的底电极，所述正常金属层用于抑制超导数字电路制造中产生的准粒子，所述准粒子为库伯对被拆开后的电子。本发明的超导数字电路能够有效的抑制超导数字电路中准粒子中毒。

本发明授权一种可抑制准粒子中毒的超导数字电路结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种可抑制准粒子中毒的超导数字电路结构的制造方法，其特征在于，所述制造方法至少包括以下步骤：S1，提供衬底；S2，在所述衬底表面依次形成三层薄膜，并将三层薄膜刻蚀成约瑟夫森结，所述约瑟夫森结包括底电极、第一绝缘材料层和顶电极；第一绝缘材料层设置在所述底电极和所述顶电极之间；所述底电极设置在所述衬底上；S3，在所述约瑟夫森结的结构表面形成第二绝缘材料层，并在所述第二绝缘材料层开设第一连接孔、第三连接孔和接触开孔；所述第一连接孔暴露出所述顶电极，所述第三连接孔暴露出所述底电极，所述接触开孔暴露出所述底电极；S4，于所述第二绝缘材料层上形成电阻层，于所述接触开孔的底部及所述接触开孔边缘的第二绝缘材料层上形成正常金属层，所述正常金属层设置在所述第二绝缘材料层上的部分为正常金属层的边缘部，所述正常金属层通过所述接触开孔设置在所述底电极上的部分为所述正常金属层的中间部；S5，形成第三绝缘材料层，所述第三绝缘材料层沉积在所述第二绝缘材料层、所述电阻层和所述正常金属层的边缘上；并在所述第三绝缘材料层开设环孔和第二连接孔，均用于暴露出所述电阻层；S6，形成配线层，所述配线层包括第一部分和第二部分，所述配线层的第一部分和所述配线层的第二部分被所述第二连接孔暴露出的电阻层分开，所述配线层的第一部分通过第一连接孔电连接所述顶电极，所述配线层的第一部分和配线层的第二部分均通过环孔电连接所述电阻层，所述配线层的第二部分通过第三连接孔连接所述底电极。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院上海微系统与信息技术研究所，其通讯地址为：200050 上海市长宁区长宁路865号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。