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龙图腾网恭喜星科金朋半导体(江阴)有限公司申请的专利一种MEMS封装结构及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113607328B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111048537.1，技术领域涉及：G01L9/04；该发明授权一种MEMS封装结构及其制造方法是由张利松;陈雷;衡文举;沈国强设计研发完成，并于2021-09-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS封装结构及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MEMS封装结构及其制造方法，属于集成电路封装技术领域。其压力接头本体的中央开设上下贯通的压力进入通道（1‑1），所述压力进入通道（1‑1）的出口设置压力分散口（1‑2），所述压力分散口（1‑2）包括若干对倒置的Y型分散口，所述压力传感器芯片（6）通过粘结胶（7）黏贴在基座（4）的基台（4‑3）中央，基座（4）向上与转接头（2）固连，并将压力敏感膜片（3）固定在基座（4）与转接头（2）之间。本发明提出的接头结构采用型分散口实现压力分流，设置压力分流通道，可以有效避免压力对MEMS芯片的正面冲击。

本发明授权一种MEMS封装结构及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS封装结构，其特征在于，其从上而下依次包括压力接头（1）、转接头（2）、压力敏感膜片（3）、金属丝（5）、基座（4）、金属引脚（4-5）和压力传感器芯片（6），所述压力接头（1）包括压力接头本体和接口（1-3），所述压力接头本体的上端中央开设上下贯通的压力进入通道（1-1），所述压力进入通道（1-1）的出口设置压力分散口（1-2），所述压力分散口（1-2）包括若干对倒置的Y型分散口，所述接口（1-3）凸出压力接头本体的下端边侧；所述转接头（2）包括转接头本体、转接头前接口（2-1）、转接头后接口（2-2）和通孔Ⅰ（2-3），所述通孔Ⅰ（2-3）设置在转接头本体的中央，所述转接头前接口（2-1）设置在转接头本体的上端外侧，所述转接头后接口（2-2）设置在转接头本体的下端内侧，所述压力进入通道（1-1）位于通孔Ⅰ（2-3）正上方；所述基座（4）的中央具有基台（4-3），所述基台（4-3）外缘设有向外伸出的若干个端子（4-2），形成MEMS压力传感器检测腔体，所述端子（4-2）的中端开设一通孔Ⅱ（4-7），将所述金属引脚（4-5）穿过该通孔Ⅱ（4-7），所述金属引脚（4-5）的上端通过玻璃烧结物（4-1）与基座（4）的端子（4-2）固连；所述压力传感器芯片（6）通过粘结胶（7）黏贴在基座（4）的基台（4-3）中央，所述压力传感器芯片（6）通过金属丝（5）与金属引脚（4-5）电连接，所述压力传感器芯片（6）位于所述通孔Ⅰ（2-3）正下方；所述基座（4）的端子（4-2）、压力敏感膜片（3）的边缘与转接头（2）的转接头后接口（2-2）对齐，将所述基座（4）向上与转接头（2）固连，并将压力敏感膜片（3）固定在基座（4）与转接头（2）之间；所述转接头（2）的转接头前接口（2-1）卡入压力接头（1）的接口（1-3）内并固连。

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