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龙图腾网恭喜晶澳(扬州)太阳能科技有限公司申请的专利硅基太阳能电池单元的制造方法和硅基太阳能电池单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113629170B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111012856.7，技术领域涉及：H10F71/00；该发明授权硅基太阳能电池单元的制造方法和硅基太阳能电池单元是由张俊兵;蒋秀林;尹海鹏;单伟设计研发完成，并于2021-08-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本硅基太阳能电池单元的制造方法和硅基太阳能电池单元在说明书摘要公布了：提供硅基太阳能电池单元的制造方法和由该方法制造的电池单元，该方法包括：提供第一型的基底；在硅基底的第一表面上形成掺杂有第一型的掺杂粒子的第一掺杂源层；在硅基底的第二表面上形成钝化介质层；在钝化介质层背向硅基底的表面形成：具有第二型的掺杂粒子的选择性载流子传输前置层，或者本征的选择性载流子传输前置层和掺杂有第二型的掺杂粒子的第二掺杂源层的叠层；以及进行高温退火处理，激活第一型的掺杂粒子以在基底的第一表面中形成第一掺杂层，同时激活第二型的掺杂粒子并且使选择性载流子传输前置层晶化以形成选择性载流子传输层。该方法避免对电池单元的两面分别进行两次高温退火处理，简化了电池单元的制造过程，利于降低制造成本。

本发明授权硅基太阳能电池单元的制造方法和硅基太阳能电池单元在权利要求书中公布了：1.一种硅基太阳能电池单元的制造方法，包括：提供第一型的硅基底，所述硅基底具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；在所述硅基底的第一表面上形成掺杂有第一型的掺杂粒子的第一掺杂源层；在所述硅基底的第二表面上形成钝化介质层；在所述钝化介质层背向所述硅基底的表面形成：具有第二型的掺杂粒子的选择性载流子传输前置层，或者本征的选择性载流子传输前置层和掺杂有第二型的掺杂粒子的第二掺杂源层的叠层；以及对形成所述第一掺杂源层和所述选择性载流子传输前置层的硅基底进行高温退火处理，激活所述第一型的掺杂粒子以在所述基底的第一表面中形成第一掺杂层，同时激活所述第二型的掺杂粒子并且使所述选择性载流子传输前置层晶化以形成选择性载流子传输层，其中，通过物理气相沉积在所述钝化介质层背向所述硅基底的表面形成所述具有第二型的掺杂粒子的选择性载流子传输前置层或者所述本征的选择性载流子传输前置层和掺杂有第二型的掺杂粒子的第二掺杂源层的叠层；并且通过物理气相沉积在所述硅基底的第一表面上形成掺杂有所述第一型的掺杂粒子的第一掺杂源层，并且，在形成所述第一掺杂源层之前，所述方法还包括：在所述硅基底的第一表面上形成第一氧化层，其中，通过物理气相沉积形成所述第一氧化层。

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