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龙图腾网恭喜中国科学院上海微系统与信息技术研究所申请的专利RF MOS器件的在片测试结构的去嵌方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113655360B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110913198.2，技术领域涉及：G01R31/26；该发明授权RF MOS器件的在片测试结构的去嵌方法是由陈静;谢甜甜;王青;吕迎欢;葛浩设计研发完成，并于2021-08-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本RF MOS器件的在片测试结构的去嵌方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种RFMOS器件的在片测试结构的去嵌方法，包括如下步骤：在同一衬底上同时形成待测器件，以及相对应的引脚结构、开路结构、短路结构以及直通结构；分别对上述待测器件、引脚结构、开路结构、短路结构、直通结构进行S参数测试；利用电磁仿真模型仿真一个金属条阻抗，算出实际短路结构引入的阻抗；利用所获得的实际短路结构引入的阻抗，将S参数转换为Y参数。本发明通过对一个金属条进行电磁仿真其阻抗来模拟实际用于去嵌的短路结构中用于共地互连的那部分金属块的阻抗，并在去嵌过程中将该阻抗去除，从而在更高频率的时候也能获得更好的去嵌精度。

本发明授权RF MOS器件的在片测试结构的去嵌方法在权利要求书中公布了：1.一种RFMOS器件的在片测试结构的去嵌方法，其特征在于，包括如下步骤：在同一衬底上同时形成待测器件，以及相对应的引脚结构、开路结构、短路结构以及直通结构；分别对上述待测器件、引脚结构、开路结构、短路结构、直通结构进行S参数测试，得到S参数；利用电磁仿真模型仿真一个金属条阻抗，该金属条用于模拟所述短路结构中用于共地互连的金属阻抗，得到该金属条的Z参数以及长度为L的金属条的阻抗值ZL，算出实际短路结构引入的阻抗Zs＝L1L*ZL；利用所获得的实际短路结构引入的阻抗Zs，将S参数转换为Y参数,待测器件的Y参数Ymea、引脚结构的Y参数Ypad、以及短路结构的Y参数Yshort；Smea转换为Ymea，Spad转换为Ypad，Sshort转换为Yshort； 其中 具体去嵌计算过程：Z”＝[Yshort-Ypad]-1-Z’；Ydut＝[Ymea-Ypad-1-Z”]-1-[Yopen-Ypad-1-Z”]-1其中待测器件的S参数是Smea、引脚结构的S参数是Spad、开路结构的S参数是Sopen、短路结构的S参数是Sshort、以及直通结构的S参数是Sthru，待测器件的Y参数是Ymea、引脚结构的Y参数是Ypad、以及短路结构的Y参数是Yshort。

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