恭喜弗萨姆材料美国有限责任公司史晓波获国家专利权
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龙图腾网恭喜弗萨姆材料美国有限责任公司申请的专利用于浅槽隔离应用的低凹陷氧化物CMP抛光组合物及其制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115698207B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202180038648.6,技术领域涉及:C09G1/02;该发明授权用于浅槽隔离应用的低凹陷氧化物CMP抛光组合物及其制备方法是由史晓波;J·D·罗斯;K·P·穆瑞拉;周鸿君;M·L·奥内尔设计研发完成,并于2021-05-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于浅槽隔离应用的低凹陷氧化物CMP抛光组合物及其制备方法在说明书摘要公布了:本发明提供浅槽隔离STI化学机械平面化CMP抛光组合物,其使用方法及系统。CMP抛光组合物包含二氧化铈涂覆的无机氧化物颗粒的磨料,如二氧化铈涂覆的二氧化硅;以及用于提供可调的氧化物膜去除速率和可调的SiN膜去除速率的双重化学添加剂;低氧化物沟槽凹陷和高氧化物:SiN选择性。双重化学添加剂包含1至少一种含硅氧烷化合物,其在同一分子上包含环氧乙烷和环氧丙烷EO‑PO基团中的至少一种,和取代的乙二胺基团中的至少一种;和2至少一种具有至少两个,优选至少四个羟基官能团的非离子有机分子。
本发明授权用于浅槽隔离应用的低凹陷氧化物CMP抛光组合物及其制备方法在权利要求书中公布了:1.一种化学机械抛光组合物,其包含:至少一种二氧化铈涂覆的无机氧化物颗粒;至少一种含硅氧烷化合物,其包含选自由至少一个环氧乙烷和环氧丙烷EO-PO基团和至少一个取代的乙二胺基团组成的组中的至少一种;至少一种具有至少两个羟基官能团的非离子有机分子;溶剂;任选地,杀生物剂;以及pH调节剂,其中所述组合物具有选自由2至12、3至10、4至9和5至7组成的组的pH;和所述至少一种含硅氧烷的化合物具有选自包含以下的一般分子结构:1 其中a和a’各自独立地在0至50、0至40、0至30、0至20、0至10或0至5的范围内;其中a和a’中的至少一个不为0;b和c各自独立地在0-50、0-40、0-30、0-20、0-10或0-5的范围内;其中b和c中的至少一个不为0;n和m相同或不同,并且各自独立地在1至12、1至8、1至5或2至4的范围内;R和R’相同或不同,并且各自独立地选自由以下组成的组:氢;-CH2pCH3,其中p的范围为1至12或2至5;-NH2;-NHCH2q-NH2,其中q的范围为1至12或2至5;环氧乙烷EO和环氧丙烷PO重复基团-EOe-POd-OH,其中d和e各自独立地选自由以下组成的组:1至50、1至40、1至30、1至20、1至10和1至5;-COOH;-COOM;-COOR1;-R1COOH;-R1COOM;-R1COOR2;-SO3H;-SO3M;-R1SO3H;膦酸;选自钠、钾或铵盐的磷酸盐;苄基;二苄基;其中R1和R2各自独立地选自由以下组成的组:-CH2m,其中m的范围为1至12,和C6H4n,其中n的范围为1至4;并且M选自钠、钾和铵;2 其中R’和R”相同或不同,并且各自独立地选自由以下组成的组:氢;-CH2pCH3,其中p的范围为1至12或2至5;-NH2;-NHCH2q-NH2,其中q的范围为1至12或2至5;环氧乙烷EO和环氧丙烷PO重复基团-EOe-POd-OH,其中d和e各自独立地选自由以下组成的组:1至50、1至40、1至30、1至20、1至10和1至5;-COOH;-COOM;-COOR1;-R1COOH;-R1COOM;-R1COOR2;-SO3H;-SO3M;-R1SO3H;膦酸;选自钠、钾或铵盐的磷酸盐;苄基;二苄基;其中R1和R2各自独立地选自-CH2m,其中m的范围为1至12,和-C6H4n,其中n的范围为1至4;并且M选自钠、钾和铵;且x、y和z相同或不同,并且各自独立地选自1至12;n-1是2至13;以及31和2的组合。
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