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龙图腾网恭喜合肥工业大学申请的专利一种太赫兹信号探测装置及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115249890B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110468598.7，技术领域涉及：H01Q1/38；该发明授权一种太赫兹信号探测装置及其制备方法是由赖伟恩;刘根;袁浩设计研发完成，并于2021-04-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种太赫兹信号探测装置及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提出一种太赫兹信号探测装置及其制备方法，包括：衬底；第一电极形成于衬底上，且位于衬底的一侧。第二电极形成于衬底上，且与第一电极关于衬底的中心对称设置。第一半导体层形成于第一电极和第二电极之间，且连接第一电极和第二电极。绝缘层形成于第一半导体层上。第三电极形成于绝缘层上，且位于绝缘层的一侧。第四电极形成于绝缘层上，且与第三电极关于衬底的中心对称设置。第二半导体层形成于第三电极和第四电极之间，且连接第三电极和第四电极。其中，第一电极和第二电极的中心连线垂直于第三电极和第四电极的中心连线。本发明提出的太赫兹信号探测装置及其制备方法结构新颖，制备简单，具有生产和应用价值。

本发明授权一种太赫兹信号探测装置及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种太赫兹信号探测装置，其特征在于，包括：衬底；第一电极，形成于所述衬底上，且位于所述衬底的一侧；第二电极，形成于所述衬底上，且与所述第一电极关于所述衬底的中心对称设置；第一半导体层，形成于所述第一电极和所述第二电极之间，且连接所述第一电极和所述第二电极；绝缘层，形成于所述第一半导体层上；第三电极，形成于所述绝缘层上，且位于所述绝缘层的一侧；第四电极，形成于所述绝缘层上，且与所述第三电极关于所述衬底的中心对称设置；第二半导体层，形成于所述第三电极和所述第四电极之间，且连接所述第三电极和所述第四电极；其中，所述第一电极作为信号天线设置在所述衬底上表面的一侧；所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极以及所述第四电极的结构和尺寸相同；所述第一电极、所述第二电极、所述第三电极以及所述第四电极在衬底上的正投影不重合；所述第一电极和所述第二电极的中心连线垂直于所述第三电极和所述第四电极的中心连线。

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