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龙图腾网恭喜中国科学院微电子研究所申请的专利一种MEMS谐振式电场传感器灵敏度漂移补偿方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115201585B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110390536.9，技术领域涉及：G01R29/12；该发明授权一种MEMS谐振式电场传感器灵敏度漂移补偿方法是由储昭志;夏洋;刘涛设计研发完成，并于2021-04-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS谐振式电场传感器灵敏度漂移补偿方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种MEMS谐振式电场传感器灵敏度漂移补偿方法，通过改变外部电场，测定在第一工作频率下所述MEMS谐振式电场传感器的输出信息；根据所述外部电场值、所述第一输出信息，计算获得灵敏度系数；设定外部电场为零时，测定不同工作条件下所述MEMS谐振式电场传感器的输出信息，获得第二输出信息；根据所述灵敏度系数、所述第二输出信息，计算获得交流串扰噪声电压、内部静电场强度；利用所述灵敏度系数、交流串扰噪声电压、内部静电场强度进行同步修正补偿，获得外部电场强度，解决了现有技术中存在MEMS谐振式电场传感器受到其他因素影响导致灵敏度发生漂移的技术问题。

本发明授权一种MEMS谐振式电场传感器灵敏度漂移补偿方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS谐振式电场传感器灵敏度漂移补偿方法，应用于一MEMS谐振式电场传感器，所述MEMS谐振式电场传感器的输出信息包括可动结构振动幅值、感应端输出电压，其中，所述方法包括：通过改变外部电场，测定在第一工作频率下所述MEMS谐振式电场传感器的输出信息，获得第一输出信息，其中，所述第一输出信息至少包括第一可动结构振动幅值、第一感应端输出电压、第二感应端输出电压，其中，所述第一感应端输出电压、第二感应端输出电压与外部电场值相对应；根据所述外部电场值、所述第一输出信息，计算获得灵敏度系数；设定外部电场为零时，测定不同工作条件下所述MEMS谐振式电场传感器的输出信息，获得第二输出信息；根据所述灵敏度系数、所述第二输出信息，计算获得交流串扰噪声电压、内部静电场强度；利用所述灵敏度系数、交流串扰噪声电压、内部静电场强度进行同步修正补偿，获得外部电场强度。

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