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龙图腾网恭喜曹建峰申请的专利一种基于金属基底的薄膜传感器绝缘层复合结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112601368B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110152953.X，技术领域涉及：H05K3/00；该发明授权一种基于金属基底的薄膜传感器绝缘层复合结构是由曹建峰设计研发完成，并于2021-02-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于金属基底的薄膜传感器绝缘层复合结构在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于金属基底的薄膜传感器绝缘层复合结构，包括金属基底层，设置在金属基底层上的粘接层，设置在粘接层上的第一绝缘层，设置在第一绝缘层上的第二绝缘层，设置在第二绝缘层上的第三绝缘层，在第三绝缘层上设置的传感器电路层，在第三绝缘层上设置或不设置覆盖第三绝缘层和传感器电路层的保护层。本发明由于氮化硅绝缘层不与金属基底接触，杜绝了其在高温环境下与金属基底发生反应的可能；同时由于氮化硅绝缘层的隔离，使得氧化铝绝缘层中的针孔被阻隔，从而不会导致传感器电路层与金属基底之间的短路，确保了基于金属基底的薄膜传感器在高温环境下使用时的绝缘能力。

本发明授权一种基于金属基底的薄膜传感器绝缘层复合结构在权利要求书中公布了：1.一种基于金属基底的薄膜传感器绝缘层复合结构，其特征在于：包括金属基底层，设置在金属基底层上的粘接层，设置在粘接层上的第一绝缘层，设置在第一绝缘层上的第二绝缘层，设置在第二绝缘层上的第三绝缘层，在第三绝缘层上设置的传感器电路层，在第三绝缘层上设置覆盖第三绝缘层和传感器电路层的保护层；所述粘接层为在金属基底上淀积的厚5～50nm的金属钛层或金属铬层；所述第一绝缘层为通过电子束蒸发工艺在粘接层上淀积的厚0.2～5um的氧化铝绝缘层；所述第二绝缘层为通过等离子增强化学气相淀积工艺在第一绝缘层上淀积的厚0.5～5um的氮化硅绝缘层；所述第三绝缘层为通过电子束蒸发工艺在第二绝缘层上淀积的厚0.2～5um的氧化铝绝缘层；所述保护层为借助金属掩膜版，通过电子束蒸发工艺在除传感器电路层焊盘外的区域上淀积的厚0.2～5um的氧化铝层，氧化铝层不覆盖传感器电路层的焊盘。

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