恭喜慧石(上海)测控科技有限公司赵怿获国家专利权
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龙图腾网恭喜慧石(上海)测控科技有限公司申请的专利压力传感器及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112924058B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110093640.1，技术领域涉及：G01L1/18；该发明授权压力传感器及其制造方法是由赵怿;周志健;熊娟;余伦宙设计研发完成，并于2021-01-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本压力传感器及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种压力传感器及其制造方法，压力传感器包括衬底结构、顶层结构以及敏感膜层结构，顶层结构包括第一硅层、设于第一硅层背面的第一绝缘层、设于第一绝缘层背面的压阻层以及设于第一硅层正面的顶层第一下绝缘层；顶层结构上形成有贯穿顶层第一下绝缘层、第一硅层及第一绝缘层的淀积孔及梁孔，淀积孔的孔壁上形成有孔壁绝缘层；衬底结构的上表面向下凹陷形成键合槽，顶层结构倒置与衬底结构上，顶层第一下绝缘层的正面朝向衬底结构，淀积孔与键合槽连通；敏感膜层结构形成于孔壁绝缘层的内壁且向下延伸并包覆键合槽的内壁与顶层结构的下表面。该压力传感器形成梁‑膜应力集中结构，达到测量微小压力的目的。
本发明授权压力传感器及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种压力传感器，其特征在于：包括衬底结构、顶层结构以及敏感膜层结构，所述顶层结构包括第一硅层、设于所述第一硅层背面的第一绝缘层、设于所述第一绝缘层背面的压阻层以及设于所述第一硅层正面的顶层第一下绝缘层；所述顶层结构上形成有贯穿所述顶层第一下绝缘层、所述第一硅层及所述第一绝缘层的淀积孔及梁孔，所述淀积孔的孔壁上形成有孔壁绝缘层；所述衬底结构的上表面向下凹陷形成键合槽，所述顶层结构倒置于所述衬底结构上，所述顶层第一下绝缘层的正面朝向所述衬底结构，所述淀积孔与所述键合槽连通；所述敏感膜层结构形成于所述孔壁绝缘层的内壁且向下延伸并包覆所述键合槽的内壁与所述顶层结构的下表面。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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