恭喜中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司安重镒获国家专利权
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龙图腾网恭喜中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司申请的专利在衬底表面形成膜的方法、设备及形成的膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114657540B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011551936.5，技术领域涉及：C23C16/455；该发明授权在衬底表面形成膜的方法、设备及形成的膜是由安重镒;金成基;项金娟;李亭亭;刘青设计研发完成，并于2020-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本在衬底表面形成膜的方法、设备及形成的膜在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体技术领域，具体涉及一种在衬底表面形成膜的方法，包括以下步骤：将前驱体气化成前驱体蒸气；在前驱体蒸气输送至沉积腔室内的过程中，通过先压缩再膨胀提高前驱体蒸气的供气流量，以在沉积腔室的衬底表面形成厚度均匀的膜。提高了前驱体蒸气的供气流量，这样可以将前驱体蒸气输送到衬底中心以及沉积腔室的顶部区域，避免衬底中心前驱体蒸气供应不足，从而在沉积腔室的衬底表面形成厚度均匀的膜。
本发明授权在衬底表面形成膜的方法、设备及形成的膜在权利要求书中公布了：1.一种在衬底表面形成膜的方法，其特征在于，包括以下步骤：使用气化装置将前驱体气化成前驱体蒸气；使用沉积腔室接收所述前驱体蒸气；所述气化装置与所述沉积腔室之间设置有流量控制阀门，所述前驱体蒸气经由所述流量控制阀门流入所述沉积腔室，在所述前驱体蒸气输送至沉积腔室内的过程中，关闭流量控制阀门1-3秒后再将其打开，通过先压缩再膨胀提高所述前驱体蒸气的供气流量，以在所述沉积腔室的衬底表面形成厚度均匀的膜。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中国科学院微电子研究所;真芯(北京)半导体有限责任公司，其通讯地址为：100029 北京市朝阳区北土城西路3号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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