恭喜恩耐公司陈之纲获国家专利权
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龙图腾网恭喜恩耐公司申请的专利用于优化有源区应变和改善激光二极管性能的被应变设计的包覆层获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114503381B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080068797.2，技术领域涉及：H01S5/30；该发明授权用于优化有源区应变和改善激光二极管性能的被应变设计的包覆层是由陈之纲;M·坎斯卡设计研发完成，并于2020-09-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于优化有源区应变和改善激光二极管性能的被应变设计的包覆层在说明书摘要公布了：一些实施例可包括激光二极管，该激光二极管具有用于优化有源区应变和改善激光二极管性能的被应变设计的包覆层。在一个实施例中，激光二极管可以包括具有第一晶格常数的材料成分的半导体衬底；以及在半导体衬底上形成的多个外延层，多个外延层包括波导层和包覆层，其中，波导层包括具有与目标光波长相关的材料成分的有源区，其中，有源区的材料成分的第二晶格常数不同于第一晶格常数；其中，包覆层的单个包覆层的材料成分和或厚度被设置成在有源区上施加目标应力场，以优化有源区应变。可以公开和或要求保护其他实施例。
本发明授权用于优化有源区应变和改善激光二极管性能的被应变设计的包覆层在权利要求书中公布了：1.一种激光二极管，包括：半导体衬底，所述半导体衬底具有带有第一晶格常数的材料成分；和多个外延层，所述多个外延层形成在所述半导体衬底上，所述多个外延层包括波导层和包覆层，其中，所述波导层包括具有与目标光波长相关的材料成分的有源区，其中，所述有源区的材料成分的第二晶格常数不同于所述第一晶格常数；其中，所述包覆层中的单个包覆层的材料成分在所述有源区上施加应力场；其中，所述包覆层中的所述单个包覆层包括应变调节材料，以及其中，所述包覆层中的所述单个包覆层包括两个或更多个子层，所述子层中的一个子层中的所述应变调节材料的平均浓度与所述子层中的不同的一个子层中的所述应变调节材料的平均浓度不同。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人恩耐公司，其通讯地址为：美国华盛顿州；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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