恭喜ASML荷兰有限公司O·F·J·努德曼获国家专利权
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龙图腾网恭喜ASML荷兰有限公司申请的专利用于控制光刻系统的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113614645B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-01发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080022989.X，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权用于控制光刻系统的方法是由O·F·J·努德曼;安东尼厄斯·西奥多勒斯·威廉慕斯·肯彭;简·伯纳德·普莱彻尔墨斯·范斯库特;M·A·范登布林克设计研发完成，并于2020-02-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于控制光刻系统的方法在说明书摘要公布了：一种光刻系统，包括辐射源和光刻设备。辐射源将辐射提供至光刻设备。光刻设备使用辐射将图案成像至位于半导体衬底上的光致抗蚀剂层上的多个目标区域上。成像需要预定剂量的辐射。该系统被控制为根据预定剂量的量值来设定辐射的功率水平。
本发明授权用于控制光刻系统的方法在权利要求书中公布了：1.一种控制包括辐射源和光刻设备的光刻系统的方法，其中：所述辐射源被配置为将辐射提供至所述光刻设备；所述光刻设备被配置为使用所述辐射将图案成像至位于半导体衬底上的光致抗蚀剂层上的多个目标区域上；所述成像需要预定剂量的辐射；所述方法包括：根据所述预定剂量的量值来设定所述辐射的功率水平；并且其中，用于在所述多个目标区域上进行所述成像的总时间长度包括：第一时间长度，所述第一时间长度用于在所述半导体衬底的第一通过过程中在所述多个目标区域上进行所述成像；以及第二时间长度，所述第二时间长度用于在所述半导体衬底的第二通过过程中在所述多个目标区域中的一个或多个特定目标区域上进行所述成像，所述一个或多个特定目标区域未能在所述第一通过过程中接收所述预定剂量；并且其中，所述方法包括：设定所述辐射的功率水平，以使所述总时间长度保持为基本上处于或接近最小值。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人ASML荷兰有限公司，其通讯地址为：荷兰维德霍温；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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