恭喜珠海基石科技有限公司请求不公布姓名获国家专利权
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龙图腾网恭喜珠海基石科技有限公司申请的专利一种粉体及其制备方法、靶材及其制备方法、钼硅化合物膜、掩膜版和半导体器件的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119461381B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510061620.4，技术领域涉及：C01B33/06；该发明授权一种粉体及其制备方法、靶材及其制备方法、钼硅化合物膜、掩膜版和半导体器件的制备方法是由请求不公布姓名;请求不公布姓名设计研发完成，并于2025-01-15向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种粉体及其制备方法、靶材及其制备方法、钼硅化合物膜、掩膜版和半导体器件的制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种粉体及其制备方法、靶材及其制备方法、钼硅化合物膜、掩膜版和半导体器件的制备方法。其中，粉体的制备方法包括：按照钼：硅的原子比为1：x取钼粉和硅粉进行混合，得到钼硅混合料；再置于真空烧结设备中进行1150℃‑1410℃真空烧结，得到MoSix块体；将MoSix块体破碎，得到MoSix粉体。该制备方法能够制得纯度高、含氧量低、粒径小的MoSix粉体，所得MoSix粉体可用于制备高纯、低氧、微观组织均匀的钼硅靶材，进而能够沉积出致密均匀的钼硅化合物膜，提高相移掩膜版的产品良率，有利于形成高对比度、高分辨率的显影图案，提升半导体器件的性能。
本发明授权一种粉体及其制备方法、靶材及其制备方法、钼硅化合物膜、掩膜版和半导体器件的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MoSix粉体的制备方法，其特征在于，包括：按照钼：硅的原子比为1：x取钼粉和硅粉进行混合，得到钼硅混合料；其中，x≥2；将所述钼硅混合料置于真空烧结设备中进行真空烧结，得到MoSix块体，所述真空烧结的烧结温度为1150℃-1410℃；所述真空烧结过程中持续抽真空；将所述MoSix块体破碎至颗粒D50粒径为2μm-20μm，且[D90-D10D50]≤2.5，得到MoSix粉体。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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