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龙图腾网恭喜无锡市华辰芯光半导体科技有限公司申请的专利一种半导体激光器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119447983B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510033076.2，技术领域涉及：H01S5/16；该发明授权一种半导体激光器及其制备方法是由侯继达;李明欣;魏明设计研发完成，并于2025-01-09向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体激光器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体激光器技术领域，公开了一种半导体激光器及其制备方法，半导体激光器包括：外延结构，包括自下而上层叠设置的衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱有源层、上波导层、上限制层和欧姆接触层；背面电极，形成于衬底远离缓冲层的一侧表面上；外延结构靠近欧姆接触层的一侧刻蚀形成有第一电流注入窗口，第一电流注入窗口蚀刻的终点为欧姆接触层，第一电流注入窗口的边缘区域沿第一方向间隔设置多个抑制电流注入结构；正面电极，形成于第一电流注入窗口上和多个抑制电流注入结构上。本发明能够抵消热透镜效应，实现较小的远场水平发散角，而且能够使电流注入区的温度分布均匀，提升半导体激光器的可靠性。

本发明授权一种半导体激光器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体激光器，其特征在于，所述半导体激光器包括：外延结构，包括自下而上层叠设置的衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、量子阱有源层、上波导层、上限制层和欧姆接触层；背面电极，形成于所述衬底远离所述缓冲层的一侧表面上；所述外延结构靠近所述欧姆接触层的一侧蚀刻形成有第一电流注入窗口，所述第一电流注入窗口蚀刻的终点为所述欧姆接触层，所述第一电流注入窗口的边缘区域沿第一方向间隔设置多个抑制电流注入结构，所述第一方向为前腔面指向后腔面的方向，相邻两个抑制电流注入结构在所述第一方向上的间距为10μm至200μm，第一间距和第二间距的比值为0.5:1至2:1，所述第一间距为相邻的三个抑制电流注入结构中第一个抑制电流注入结构和第二个抑制电流注入结构在所述第一方向上的间距，所述第二间距为相邻的三个抑制电流注入结构中第二个抑制电流注入结构和第三个抑制电流注入结构在所述第一方向上的间距；正面电极，形成于所述第一电流注入窗口上和所述多个抑制电流注入结构上。

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