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龙图腾网恭喜安徽大学申请的专利SRAM的存内乘法运算电路和模块、SRAM和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119415475B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510026330.6，技术领域涉及：G06F15/78；该发明授权SRAM的存内乘法运算电路和模块、SRAM和电子设备是由蔺智挺;杨洋;赵强;刘玉;杨辉;卢文娟;彭春雨;李志刚;吴秀龙设计研发完成，并于2025-01-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本SRAM的存内乘法运算电路和模块、SRAM和电子设备在说明书摘要公布了：本申请涉及一种SRAM的存内乘法运算电路和模块、SRAM和电子设备，其中，该存内乘法运算电路包括存储部分和加权部分，存储部分包括八个存储单元，每个存储单元具有模拟量输入端和模拟量输出端且用于存储单比特权重，每个存储单元在自身存储的单比特权重为1时导通模拟量输入端和模拟量输出端以及在自身存储的单比特权重为0时断开模拟量输入端和模拟量输出端；加权部分包括第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、第九电容、第十电容和第十一电容。所采用电容的数量和总容值均更少，降低了电路面积开销，解决了目前基于电荷域的SRAM的存内乘法运算电路的面积开销较大的问题。

本发明授权SRAM的存内乘法运算电路和模块、SRAM和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种SRAM的存内乘法运算电路，其特征在于，包括：存储部分，其包括八个存储单元，每个存储单元具有模拟量输入端和模拟量输出端且用于存储单比特权重，每个存储单元在自身存储的单比特权重为1时导通模拟量输入端和模拟量输出端以及在自身存储的单比特权重为0时断开模拟量输入端和模拟量输出端，八个存储单元的模拟量输入端连接有同一模拟量输入线；加权部分，其包括第一电容、第二电容、第三电容、第四电容、第五电容、第六电容、第七电容、第八电容、第九电容、第十电容和第十一电容；其中，八个存储单元的模拟量输出端分别与第一电容至第八电容的第一极板连接，第一电容和第二电容的第二极板与第九电容的第一极板连接，第三电容和第四电容的第二极板与第九电容的第二极板连接，第五电容和第六电容的第二极板与第十电容的第一极板连接，第七电容和第八电容的第二极板与第十电容的第二极板连接，第九电容的第二极板还与第十一电容的第一极板连接，第十电容的第二极板还与第十一电容的第二极板连接并构成SRAM的存内乘法运算电路的输出节点。

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