恭喜大连奥首科技有限公司吕晶获国家专利权
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龙图腾网恭喜大连奥首科技有限公司申请的专利一种半导体钴制程CMP后清洗液、其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119193245B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-04-04发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411710006.8，技术领域涉及：C11D1/78；该发明授权一种半导体钴制程CMP后清洗液、其制备方法与应用是由吕晶;侯军;任浩楠;王欣欣设计研发完成，并于2024-11-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体钴制程CMP后清洗液、其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明提供一种半导体钴制程CMP后清洗液、其制备方法与应用，半导体钴制程CMP后清洗液，包括重量配比如下的各组分：环糊精PEG氨基酸类化合物1‑15份；缓蚀剂0.1‑1份；磷酸酯类化合物5‑15份；有机弱碱10‑20份；超纯水60‑80份。本发明还公开了半导体钴制程CMP后清洗液的制备方法，及其在半导体芯片清洗领域的应用。本发明半导体钴制程CMP后清洗液不含强碱、强酸，仍能有效清除有机残留物、颗粒等污染物，且对芯片无腐蚀。本发明半导体钴制程CMP后清洗液对清洗工艺无特殊要求，仅在浸泡的工艺下，即可使芯片上所粘附的有机污染物、各种颗粒洗脱完全，后续仅经过纯水冲洗即可，水洗后无脏污残留。
本发明授权一种半导体钴制程CMP后清洗液、其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种半导体钴制程CMP后清洗液，其特征在于，包括重量配比如下的各组分：环糊精PEG氨基酸类化合物1-15份；缓蚀剂0.1-1份；磷酸酯类化合物5-15份；有机弱碱10-20份；超纯水60-80份；所述环糊精PEG氨基酸类化合物为环糊精-聚乙二醇-甘氨酸、环糊精-聚乙二醇-组氨酸、环糊精-聚乙二醇-谷氨酸、环糊精-聚乙二醇-赖氨酸和环糊精-聚乙二醇-苏氨酸中的一种或多种；所述缓蚀剂为冠醚异羟肟酸、L-谷氨酸γ-单异羟肟酸和软木肟酸中的一种或多种；所述磷酸酯类化合物为烷基酚聚氧乙烯醚磷酸酯和或脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯。
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